单电子隧穿相关论文
量子点热机是由两个温度和化学势都不同的热库与量子点构成的.基于随机主方程,我们推导出电子在两个热库之间传输的粒子流表达式,......
随着纳米加工技术的发展,纳米结构器件必将成为将来的集成电路的基础.本文介绍了几种用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线......
基于单电子隧道结电压特征公式[1],借助Matlab拟合其隧穿特性曲线,给出了时不变和时变偏置电流作用下的I-V特性震荡曲线,并就仿真......
介绍了用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥离技术制备纳米金属栅的工艺方法;用这种工......
单电子输运器件是指能在基本电荷层次上控制电子输运的器件．器件在周期时钟信号的作用下，每个周期有n个（通常是一个）电子从源端搬运到......
采用电子束光刻技术和反应离子刻蚀等工艺,在P型SIMOX硅片上成功地制备了一种单电子晶体管.提供了一种制备量子线和量子点的工艺方......
当材料尺度减小到几个纳米时 ,材料内部电子结构会表现为分立能级 ,这就是所谓的量子限域效应 .通过晶态和非晶Pd纳米颗粒的单电子......
以单电子晶体管为研究对象，系统阐述了库仑阻塞、库仑台阶、单电子隧穿等物理现象的产生机理。微观模拟与宏观建模相结合，着重介绍了......
纳米结构的制备和纳米电子器件(单电子晶体管、单电子存储器等单电子器件)的研究是纳米电子技术中最重要的研究内容之一，是最具有生......
对单隧穿结和双隧穿结中的库仑阻塞现象进行了介绍,分析了其中电子隧穿的物理过程;然后探讨在单电子盒中如何利用库仑阻塞控制单电......
