隧穿结相关论文
为了改善非晶硅/微晶硅叠层电池的载流子输运效果,将隧穿结引入到具有中间层结构的叠层电池中,研究了隧穿结的结构、掺杂浓度、厚......
非晶硅/非晶硅锗叠层电池制备中非晶硅锗子电池本征层采用“喇叭口”结构.通过优化各层掺杂浓度,实现叠层电池光学带隙从1.95～1.5 e......
以“金／1，4-二氰基甲苯分子（C6H4（CN）2）／金”隧道结为研究对象，从第一性原理出发，计算了电极距离和外部电压2个因素对隧道结电子隧穿特性的......
采用金属有机化合物气相淀积（MOVPE）技术生长用于GaInP／GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键......
提高太阳电池的转换效率是人类利用和发展太阳能技术的主要追求目标，目前有望大幅度提高转换效率的一个最直接手段就是采用多结叠层......
AlGaN半导体材料作为第三代宽禁带半导体的代表,具有直接带隙宽、原子键强、热导率高、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)以及抗辐......
模拟一种高效GaAs/Si两结叠层电池结构,将硅材料作为叠层电池的一个底电池利用起来,拓展光谱吸收.分别讨论了隧穿结和子电池对叠层......
对单隧穿结和双隧穿结中的库仑阻塞现象进行了介绍,分析了其中电子隧穿的物理过程;然后探讨在单电子盒中如何利用库仑阻塞控制单电......
采用等离子体化学气相沉积（PECVD）方法在不锈钢柔性衬底上制备了不同厚度的硅基p^＋/n^＋隧穿结,应用于非晶硅/微晶硅叠层太阳电池,分析......
<正>从1954年第一只光电转换效率达到实际应用水平的硅太阳电池在美国贝尔实验室诞生起,光伏技术已有了50多年的发展历史。在上个......
采用APSYS软件设计渐变Al组分隧穿结,利用渐变组分间带阶结合AlGaN材料先天存在的自发极化和压电极化调控能带,增强载流子扩散-漂......
AlGaN基隧穿结二极管可应用于紫外发光二极管(LED)中实现p-n倒置结构,提高载流子注入效率。由于AlGaN基隧穿结二极管具有较宽的禁......
铁电材料在功能器件、智能结构等领域有着广泛的应用。随着器件的小型化和微型化,铁电材料纳米结构的研究受到了学术界和工业界越......
碳化硅（SiC）以其宽禁带、高临界场强、高热导率、高临界位移能、高载流子饱和漂移速率特性等优异的物理和电学性能成为继Si、Ge、GaA......
利用MOCVD设备进行倒装多结III-V族半导体化合物太阳电池隧穿结的外延优化。利用XRD和SEM对样品进行结构分析,结果表明样品晶格质......
