量子限域效应相关论文
氧化锌是直接宽带隙Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体材料,其室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60 meV。在此基础上一维氧化锌纳米棒也因具......
稀土离子和半导体纳米晶(或量子点)本身都是很好的发光材料,二者的有效结合能否生出新型高效发光或激光器件一直是国内外学者关注......
量子点又称为纳米晶,是一种由Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族元素组成的纳米颗粒(粒径1～10nm),由于电子和空穴的量子限域效应,连续的能带结构变成......
有机铅卤钙钛矿CH3NH3PbX3（X = C1,Br,I）因为在太阳能电池领域的优秀表现而引起广泛的关注。在短短几年的研究时间内（2009-2016）,钙钛......
纳米材料由于拥有独特的光学、电磁或机械性能与巨大的潜在应用前景而受到广泛关注与研究。半导体晶体在达到纳米尺寸之后由于开始......
ZnO是第三代半导体材料,具有宽禁带、高激子束缚能、价格低廉和环境友好等特点,具有广阔的光电应用前景。纳米结构的ZnO是无机材料......
近几年来,低维功能纳米材料因其优异的特性及潜在的实际应用价值,已经成为当今纳米材料研究的前沿和热点。理论研究和设计低维功能......
近年来,由于一维纳米材料具有独特的物理、化学特性以及在纳米器件中的应用前景,它的制备引起了人们的广泛关注。ZnO是一种直接宽......
学位
光电子信息材料是本世纪最受关注的材料之一，光电子集成器件在信息时代有极其重要的作用。由于硅的平面集成工艺已相当成熟，所以从工......
团簇(cluster)是由几个乃至数千个原子、分子或离子通过物理和化学结合力所组成的相对稳定的聚集体。团簇的微观结构的特点和奇异......
单晶硅是间接带隙半导体材料，它的带隙宽度Eg=1.1eV，作为发光器件材料在光电子领域中的应用受到一定限制。1990年，英国科学家Canham首......
利用热丝化学气相沉积法,在真空腔中通过选择设定不同加热功率的热丝热解硅烷制备出一系列不同颗粒尺寸的硅纳米颗粒样品。透射电......
用射频磁控共溅方法制备了InP-SiO2纳米颗粒镶嵌复合薄膜, 分析了它的结构和形成规律. X射线衍射和Raman谱结果表明, InP纳米颗粒......
利用射频磁控反应溅射方法制备富硅的氮化硅薄膜。衬底材料为抛光的硅片,靶材为硅靶,在Ar-N2气环境下,通过改变两种气体的组分比来......
采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(ncSi-SiNx)复合薄膜.通过X射线能谱(EDS)、X射线衍射仪(XRD)的测......
利用等离子体辅助分子束外延设备(P-MBE)在蓝宝石(Al_2O_3)衬底上外延生长ZnO薄膜,研究了不同生长温度对结晶质量的影响。随着生长......
对用自行研制的ＳＣＤ－Ｉ型高压釜制备的ＳｉＯ２气凝胶与用胶体化学方法制备的ＰｂＳ纳米粒子的组装体系的光学性质进行了研究．用透射电镜观察了其形貌，用光......
与绝缘体纳米晶相比，半导体纳米晶的激子玻尔半径要大得多，因此量子限域效应对掺杂半导体纳米晶发光性能的影响变得很显著，从而有可能......
研究了量子限域体系下ZnO纳米晶随尺寸变化的发光性质.吸收边随着颗粒尺寸减小发生持续的蓝移.光致发光光谱包含两个发光峰:一个是......
采用磁控溅射技术,在Si（100）衬底上制备了一系列不同周期、不同Ge层厚度的Ge/Si多层膜样品。用室温光致发光（PL）、Raman散射和AFM图谱......
采用沉淀法制备纳米ZnO粉体,探讨了晶粒尺寸与反应浓度和热处理温度的关系,并对所得到的纳米ZnO粉体的发光性质进行了研究,对不同......
关于ZnO可见发射机制的讨论目前尚无定论.本文研究了不同颗粒尺寸的纳米晶ZnO胶体的发射性质,观测到两个发射带,其中之一是激子发......
在硅基半导体中埋置的硅量子点因量子限域效应而具有光致发光的性能,是一种实现硅基光电集成很有前途的材料.文章介绍了此类复合薄......
采用第一性原理模拟计算纤锌矿结构白N半导体中InN量子点的结构性质。建立64和128个原子的超原胞量子点模型，进行结构优化以获得稳......
针对ZnO半导体低维纳电子／光电子器件中纳米线膜的可控性差及其所导致的特性不稳定问题，利用ZnO纳米籽晶层作为引导层，以实现ZnO纳米......
采用射频磁控共溅射方法制备了纳米Ge颗粒镶嵌于SiO2中的复合薄膜(Ge-SiO2)，结合样品结构对光吸收特性进行深入的研究。研究发现该......
采用墨水法,以溴化铯、溴化铅为源,以油酸为配体,在甲苯体系中室温下空气中快速合成CsPbBr3钙钛矿量子点。该方法操作简单,能耗较......
利用化学沉淀法制备了纳米ZnO粉体，室温下测量了样品的光致发光谱(PL)、X射线衍射谱(XRD)，给出了样品的透射电子显微照片(TEM)，X射线......
研究了纳米ZnO的量子限域效应和不同粒径对于不同激光的散射特性，从实验和理论两方面验证了纳米材料的光学特性。......
文章采用简单的化学合成方法在水溶液中以巯基乙酸为稳定剂制备了硒化镉(CdSe)纳米晶。它的紫外可见吸收光谱和发射光谱及透射电子......
采用超晶格方法,利用射频磁控共溅射及在N2气氛中退火技术,制备了多层Ge纳米晶（Ge-ncs）镶嵌Si基复合薄膜（Ge-ncs＋SiO2/GeO2）.同时采用椭......
本文讨论了分布在SiO2中纳米碳化硅晶须的拉曼受激散射现象.在用非晶态SiO2包覆的纳米碳化硅材料中,随纳米碳化硅含量增高,激发阈......
单晶硅是间接带隙半导体材料，它的带隙宽度Eg=1.1eV，作为发光器件材料在光电子领域中的应用受到一定限制。1990年，英国科学家Canham首......
基于量子限域效应，一维Si纳米材料(硅纳米线等)具有体材料硅所不具备的特异的光学、电学、机械和化学性质，在纳光电子学领域具有潜在......
近年来,卤化铅钙钛矿由于其优异的光电性质被应用于太阳能电池、发光二极管和激光等领域。目前,如何将钙钛矿与其他材料相结合设计......
层状材料的尺度由三维改变至二维乃至更低维度时,通常会表现出广泛的对称性破缺现象,以及尺寸相关的量子限域效应,其诸多性质也会......
胶体半导体量子点(QDs)在生物、能源、环境领域具有巨大的应用潜力1–3。由于量子限域效应,半导体QD的光学性质受控于尺寸大小。因......
当材料尺度减小到几个纳米时 ,材料内部电子结构会表现为分立能级 ,这就是所谓的量子限域效应 .通过晶态和非晶Pd纳米颗粒的单电子......
纳米材料与宏观体材料的物理化学性质不同，其物理化学性质取决于量子尺寸效应和量子限域效应等，讨论了量子点的主要量子效应以及处理......
文章采用密度泛函理论方法,研究少层Bi 2Se 3拓扑绝缘体薄膜的电子结构和光学性质随薄膜厚度的变化。能带结构和态密度分析发现,当......
稀土离子和半导体纳米晶（或量子点）本身都是很好的发光材料，二者的有效结合能否生出新型高效发光或激光器件这一问题一直受到国内外学......
ZnO是一种具有优异光电性能的半导体材料,其在蓝光和紫外光发光器件方面有广泛的应用前景,是光电子研究方面的一个热点。在光电器......
二维无机纳米材料,由于其超薄的结构特征和量子限域效应,能够表现出一个维度受限条件下新奇的电子与自旋结构,为广泛应用如新型的......
基于金属卤化物钙钛矿材料制备的发光二极管(LED)发展迅速,短短五年内,近红外、红光和绿光钙钛矿发光器件的外量子效率均超过了20%......
采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅（nc-Si/SiNx）复合薄膜。通过X射线能谱（EDS）、红外光谱（IR）、X射线衍射（X......
