原生氧沉淀相关论文
研究了在大直径直拉硅单晶中掺氮 (N )对原生氧沉淀的影响 .通过高温一步退火 (10 5 0℃ )和低 -高温两步退火 (80 0℃ +10 5 0℃ ......
采取从某一温度（600-1000℃）开始缓慢升温至高温（1150℃）并保温若干时间的方法，使得直拉si片中大于起始温度对应的氧沉淀临界尺寸的那一......
直拉硅抛光片的表面质量和氧沉淀对集成电路成品率的影响很大。无论在硅片生产还是在集成电路制造中,硅片都要经过高温退火。因此,......
直拉硅片的内吸杂对于提高集成电路的成品率具有重要意义。传统的高-低-高退火工艺,虽然能形成良好的内吸杂结构,但是不符合集成电......
