内吸杂相关论文
使用N2和N2／NH3混合气氛作为快速热退火（RTA）气氛，研究了RTA气氛对洁净区、氧沉淀和硅片表面形貌的影响。在N2／NH3混合气氛下，RTA处理后，......
在器件的高温工艺过程中多晶硅再结晶,晶粒不断地长大,多晶硅层厚因高温氧化而减薄直到完全耗尽.在多晶硅层完全去除后在硅衬底中......
研究了重掺硼(HB)、重掺砷(HAs)以及重掺锑(HSb)直拉(CZ)硅片对重金属Cr的内吸杂能力，将不同程度(～10^12cm^-2，～10^14cm^-2)沾污Cr的硅......
研究了五种不同的热处理气氛对直拉硅中氧沉淀及其诱生缺陷的影响，实验结果表明，经过低-高退火处理的硅片继续在五种不同的气氛中高......
直拉硅抛光片的表面质量和氧沉淀对集成电路成品率的影响很大。无论在硅片生产还是在集成电路制造中,硅片都要经过高温退火。因此,......
在直拉硅单晶生长过程中,氧不可避免地被引入至硅单晶中,其浓度一般在(5-10)×1017 cm-3。位于硅晶格间隙位的氧原子可以与空位或......
晶体硅不仅是微电子工业的基础材料，也是光伏工业的基础材料，其体内的杂质或缺陷会显著地影响各种硅基器件的性能。其中，过渡族金属就......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
快速退火(RTA)单晶硅片时,硅片内部会形成一种特殊的空位分布.空位的分布将决定后序两步退火(800℃,4h+1000℃,16h)后生成的洁净区......
超大规模集成电路(Integrated Circuit, IC)的发展对硅单晶材料提出了越来越严格的要求,随着集成电路特征线宽的减小,利用硅片的内......
单晶硅是微电子工业的基础材料,广泛用于集成电路和功率半导体器件的制造,成为当今信息社会的基石。在可预见的将来,它仍将在信息......
现代超大规模集成电路(ULSI)制造过程的主流工艺为COMS工艺。COMS工艺中普遍采用N/N~+、P/P~+的外延结构，这种以重掺杂硅片为衬底的......
集成电路特征线宽的不断减小对直拉（CZ）单晶硅片中的缺陷控制和内吸杂技术提出了愈来愈高的要求。在这种情况下,基于氧沉淀的内吸杂......
直拉硅（CZ）单晶广泛地用于集成电路的制造中,一个很重要的原因就是它具有与氧沉淀及其诱生缺陷相关的内吸杂（IG）功能。在器件制造的过......
