本文综合考虑了影响多晶硅发射极晶体管(PET)电流增益的多种因素,针对最全面的器件结构推导出PET的共发射极直流电流增益h_FE发射......

本文利用经适当修改的Ｙｉｈ－Ｆｅｎｇ Ｃｈｙａｎ等人的ＰＥＴ大注入模型编制了程序，结合实例模拟了在大注入条件下具有发射区、基区指数掺杂分布的ＰＥＴ的输入特性，输出......

本文报道了一种超高速ＥＣＬ静态二分频器；介绍了该分频器的核心器件─—ＮＰＮ晶体管的结构和实现该结构的有关先进工艺，包括深槽隔离、多晶硅发......

通过对多晶硅发射极晶体管（ＰＥＴ）的多晶硅及界面层导电特性的分析， 得到单晶发射区边界上电流密度与少子浓度之间的关系式，并以此为自洽的 ......

本文提出了一种新的提高多晶硅发射极晶体管和电路速度的方法，通过对器件外基区下对应的外延层区域进行了离子补偿注入，降低相应外延......

报道子双层多晶硅发射极超高速晶体管及电路的工艺研究。这种结构 是在单层多层多晶硅发射极晶体管工艺基 础上进行了多项改进，主......

利用Ｙｉｈ－ＦｅｎｇＣｈｙａｎ等的ＰＥＴ大注入模型，并考虑了发射极串联电阻ＲＴＥ和多晶硅／硅界面氧化层延迟时间τｏｘ对器件特性的影响，编制了程序。......

本文对于由非昌硅和单晶硅两个区域构成的发射区结构，计算了利用非晶硅垂直电阻的镇流作用后发射结直流电流以密度的横向颁并给出了......