利用Yih－FenyChyan等的PET大注入模型，并考虑了发射极串联电阻RTE和多晶硅／硅界面氧化层延迟时间τox对器件特性的影响，编制了程序。结......

本文利用经适当修改的Ｙｉｈ－Ｆｅｎｇ Ｃｈｙａｎ等人的ＰＥＴ大注入模型编制了程序，结合实例模拟了在大注入条件下具有发射区、基区指数掺杂分布的ＰＥＴ的输入特性，输出......

利用Ｙｉｈ－ＦｅｎｇＣｈｙａｎ等的ＰＥＴ大注入模型，并考虑了发射极串联电阻ＲＴＥ和多晶硅／硅界面氧化层延迟时间τｏｘ对器件特性的影响，编制了程序。......