器件技术相关论文
一、案例基本情况rn2017年8月10日,《中国知识产权报》报道,同济大学王占山团队自主研发的“高性能激光薄膜器件及装备”技术成果......
中国电子科技集团公司第九研究所,即西南应用磁学研究所,位于中国科技城——四川绵阳,主要从事磁性功能材料与特种元器件的研制、......
介绍了用于铁路机车车辆驱动装置的 2 0 0 0VIGBT模块的开发经过与动向。由于2 0 0 0V、330 0V、4 50 0～ 650 0V的耐压系列化 ,几乎......
20 0 0年 12月 2 1日 ,DC6 0 0 V供电客车电源通过了由湖南省科委组织的省级鉴定。DC6 0 0 V供电列车取消了我国目前空调旅客列车......
全国人大代表、湖南省经济和信息化委员会主任谢超英向大会提出了加快IGBT(绝缘栅双极晶体管)产业发展的建议,建议国家高度重视IGB......
随着我国信息技术向数字化、网络化的迅速发展,信息功能材料和器件的变革已成为信息技术发展的必然趋势。本文综合报道了《国家中......
可编程逻辑器件(PLD)长期来一直受到人们普遍的欢迎.一开始,PLD不仅结构简单,而目密度也高.利用Abel等描述语言或原理图可以很方便......
集ＣＭＯＳ与双极器件之优点于一体的ＢｉＣＭＯＳ，将逐渐成为９０年代ＵＬＳＩ的主流技术。本文工艺、器件结构和兼容设计等不同侧面，阐述了ＢｉＣＭＯＳ技术所具有的突出特点及其......
报道了３１位声表面波可程序匹配滤波器的结构、设计和性能参数。声表面波可程序抽头延迟线是近年来快速发展的直扩技术广泛应用的一种......
本文提出了把大家熟悉的ＬＯＣＯＳ（Ｓｉ的局部氧化）技术扩展到ＳｉＣ的可行性。为得到一种ＳｉＣ器件集成的最佳化等平面隔离技术，已在结构上鉴定了两种隔离工艺......
介绍了当前世界上体硅和SOI材料及其器件辐射加固技术的发展现状,并介绍了主要的辐射加固CMOS IC的研制现状。
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研究了大功率列阵器件的量子阱结构、材料生长、列阵结构、隔离技术与封装技术，研制出６条层叠ＧａＡｓ／ＡｌＣａＡｓ量子阱激光器列阵，其峰值功率为４０４Ｗ（２０Ｈｚ，２００μｓ），电－光转......
20 0 1年 12月 2 9日在杭州永翔光电子技术有限公司 ,由浙江省信息产业厅组织召开了“全光纤型分支器件系列产品”及“光纤光缆活......
2004年9月在上海举办第二届中国国际集成电路产业展览暨研讨会第二届中国国际集成电路产业展览暨研讨会(IC China 2004),定于2004......
学 术 会 议 序号 学术会议名称 主要内容 时间 地点 会期 规模 承办单位 联系人 通信地址、邮编、电话 主办、协办单位 1 ......
新车型的设计很大程度上依赖于电子电路的设计来降低成本,提高可靠性和丰富功能。随着电气和电子系统的增加,以及它们占大部分汽车......
本文论述了边界扫描技术的基本原理和边界扫描在电路板测试及在FPGA、DSP器件中的应用。介绍了为提高电路板的可测试性而采用边界......
数字微镜器件是由美国德州仪器公司(Texas Instrument)开发的。DMD是Digital Micro-mirror Device的缩写。这种技术也称为“数字......
阐释3D集成技术的发明创意,分析2D-IC互连瓶颈的挑战,例示3D-IC的优点,详论3D集成工艺技术的发展,简介3D集成设计技术,研究结论是3......
三菱电机公司信息技术综合研究所光波微波电路技术部长石义田阳次预言:“如果OFDM技术应用于移动通信,必然要求改进RF电路。”对于......
据《Semiconductor International》2006年第11/12期报道,北京大学上海微电子研究院(SNRIME)与美国Applied Wave Research(AWR)合......
在中国半导体集成电路市场上,工业控制类应用规模位居第四。而随着信息技术与半导体技术的发展,借助快速的处理器技术、灵敏的感测......
据《中国电子报》2007年8月22日报道,以上海技术物理研究所研究员、中国科学院院士褚君浩担任首席科学家的科技部重大基础专项“半......
据《Portable Design》2008年第10期报道,美国国际整流器公司(IR)成功开发出了一种革命性的GaN功率器件技术平台。与此前最先进的......
有机电致发光器件OLED驱动电压低、发光亮度大、视角宽、响应速度快、制作工艺简单,在未来的平板显示领域显示了诱人的应用前景,也......
美国佐治亚理工大学(Georgia Institute of Technology)在2012年6月举行的MEMS(微电子机械系统)相关国际学会上宣布,试制出了可在3......
IGBT是功率器件技术演变的最新产品,是未来功率器件的主流发展方向。IGBT器件是一种MOSFET与双极晶体管复合器件。既有功率MOSFET......
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8月9日出版的最新一期《科学》杂志上,中国科学家的半浮栅晶体管(SFGT)研发成果引起世界关注,因为它有望让电子芯片的性能实现突破......
2014年10月28-31日,桂林第十二届IEEE固态和集成电路国际会议(International Conference on Solid-State and Integrated Circuit ......
第十二届IEEE固态和集成电路国际会议(IEEE ICSICT-International Conference on Solid-state and Integrated Circuit Technology......
第十二届固态和集成电路技术国际会议http://www.ICSICT.com2014年10月28-10月31日,桂林第十二届IEEE固态和集成电路国际会议(IEEE......
SiC市场领导者Cree近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台,基于Cree的SiC平面技术从而扩......
郝复俭,无线电与惯性器件技术专家,我国无线电与惯性器件技术的主要开拓者之一。他于1911年4月14日生于山东省青岛市。1933年9月......
SiC器件具有高温、高频和低损耗的性能优势,将其应用于逆变器装置中,可有效提高系统效率,降低能耗,减小系统的体积和重量。本文基......
北京市第三代半导体材料及应用工程技术研究中心,定位于首都第三代半导体新材料、新器件和新应用的工程化研究平台,解决该领域的行......
http://www.asicon.org12th International Conference on ASIC 2017年10月25日一28日,贵阳,中国大会共主席Chenming Hu Ting-Ao T......
随着高技术的迅速发展及其对经济、政治、军事、外交、社会文化等方面的影响的不断扩大,一个国家的高技术的发展日益成为一个远远......
信息技术领域:计算机软硬件技术、通信技术、信息获取与处理技术、信息安全技术。 生物和现代农业技术领域:生物工程技术、基因操......
信息技术领域 计算机软硬件技术 通信技术信息获取与处理技术 信息安全技术生物和现代农业技术领域 生物工程技术 基因操作技......
