金属硅化物相关论文
本文采用第一性原理计算方法研究了不同Al含量的TaSi1-xAlx2化合物的结构稳定性、弹性性能,深入了解Al合金化对TaSi2机械性能的影......
含共价键和离子键的Fe-Si和Mo-Si金属间化合物材料,强度大、硬度高、耐腐蚀和抗磨损性能优、高温抗氧化能力强,但该类材料作为结构......
随着社会发展和对环境保护日渐严苛的要求,化学品越来越追求温和条件下的精准合成,同时追求过程废弃物的低排放,因而对催化剂的性......
为了实现问接带隙材料一硅的高效发光，人们在材料工程方面探索具有直接带隙的半导体材料。β-FeSi是少有的几种半导体型金属硅化物，......
难熔金属硅化物具有高熔点、高强度、较低的密度以及良好的高温抗氧化性能，是非常具有潜力的高温结构材料，但是高的室温脆性阻碍了其......
金属硅化物具有高熔点、高强度、适当的密度以及良好抗氧化性能和抗腐蚀性能,是一种极具潜力的高温结构材料,但是,其脆性成为阻碍......
Mo5Si3在Mo-Si系中具有最高熔点、最宽的成分范围、良好的高温抗氧化性能和抗蠕变性能而成为近年来研究的热点。但是其室温脆性严......
难熔金属硅化物Mo5Si3被认为是极具潜力的高温结构候选材料。但是，室温脆性大、高温强度不足阻碍了其实际应用。本文以MoO3、 Cu、M......
金属硅化物通常具有很高的熔点、较低的电阻率、很好的高温热稳定性,有些还具有奇异的光、电、磁、超导、催化等性能,因此是一类最......
建立了计算机控制的快速傅立叶深能级瞬态谱测试系统,对该方法所存在的问题进行了研究,并提出了新的方法.相对于传统深能级瞬态谱(......
本论文利用X射线衍射分析技术、扫描电子显微分析技术、能谱分析实验手段，绘制了V-Si-Zr三元合金973K等温截面相图与Nb-Si-Y三元合......
以Mo、W、Si粉为原料,采用机械活化结合热压烧结的方法制备了不同W含量的MoSi2合金试样。结果表明,合金元素W加入后,其主要物相为M......
研究了在 Co/Ti/Si结构中加入非晶 Ge Si层对 Co Si2 /Si异质固相外延的影响 ,用离子束溅射方法在Si衬底上制备 Co/Ge Si/Ti/Si结......
为改善Mo5Si3的本征脆性,采用电弧熔炼/高温退火技术制备了(MO1-x,Nbx)5Si3)(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0)合金,并结合X射线衍射(XRE)......
采用Co/C/Si多层薄膜结构的中间层诱导固相外延方法在Si(100)上制备外延CoSi2薄膜.用四探针电阻仪、XRD、AES、RBS等分析手段对该......
利用激光熔炼材料制备技术,制得了由三元金属硅化物Ti2Ni3Si初生枝晶和枝晶间Ti2Ni3Si/Ti共晶组成的金属间化合物耐磨耐蚀合金;采......
研究了在Co/Ti/Si结构中加入非晶GeSi层对CoSi2/Si异质固相外延的影响,用离子束溅射方法在Si衬底上制备C o/GeSi/Ti/Si结构多层薄......
研究了顺次淀积在 Si (10 0 )衬底上的 Ni/ Pt和 Pt/ Ni的固相硅化反应 .研究发现 ,当 1nm Pt作为中间层或覆盖层加入 Ni/ Si体系......
采用离子注入方法制备β- Fe Si2 薄膜 ,选择 C作为掺杂元素 ,得到了β- Fe Si2 硅化物层与基体间的界面平直、厚度均一的高质量薄......
采用MEVVA源 (MetalVaporVacuumArcIonSource)离子注入合成 β FeSi2 薄膜 ,用常规透射电镜和高分辨电镜研究了不同制备参数下 β ......
应用基于密度泛函理论的平面波赝势方法计算16H金属硅化物zr5si3及Zr3Ti2Si3的基态晶格参数，得出弹性常数、体弹性模量、弹性模量、......
利用激光熔炼材料制备技术，制得了由铜基固溶体增韧的Cr5Si3／CrSi金属硅化物新型耐磨合金，分析了合金的显微组织结构，测定了合金的显微......
以Mo-Ni-Si合金粉末为原料,使用激光熔敷技术在1Cr18Ni9Ti不锈钢基材表面制备出Mo2Ni3Si/NiSi金属硅化物复合材料涂层.应用OM、SEM......
利用四探针电阻测试仪、光学显微镜、扫描电镜、电感耦合等离子发射光谱仪、能谱分析等设备,从晶粒尺寸、组织形态以及晶界析出物......
利用水冷铜模激光熔炼炉制得了由初生枝晶Cr3Si和枝晶间Cr3Si／Crl3Ni5Si2共晶组成的金属间化合物合金。利用OM，SEM，TEM，EDS和XRD分析了......
当MOSFET器件的栅长缩小到纳米尺度以后，金属源／漏（S／D）结构具有一系列的优点：原子级突变结能够抑制短沟道效应（SCE），低S／D串联电阻和接触电......
难熔金属具有熔点高、弹性模量高、良好的塑性和韧性、高温强度高、热膨胀系数小等特点，是改善金属硅化物室温韧性和高温强度的理想......
以MoO3粉、Mo粉、Si粉和Al粉为原料,利用机械合金化制备了具有纳米晶组成的Al2O3/Mo5Si3复合粉体,利用X射线衍射（XRD）、激光粒度分析......
摘要：采用微波等离子体退火方法使溅射的金属钴薄膜与(100)硅衬底发生固相反应直接生成CoSi2，证明了采用微波等离子体退火制备低阻硅......
以Ni-42Mo-28Si和Ni-36Mo-24Si(质量分数计)合金粉末为原料,利用激光熔敷技术在1Cr18Ni9Ti不锈钢基材表面制得由三元金属硅化物Mo2......
金属硅化物广泛用于微电子器件中的源、漏、栅极与金属电极间的接触，是制备纳米集成电路的关键材料之一。本文叙述了半导体集成电路......
采用极化曲线，塔菲尔图（Tafel Plot），交流阻抗（EIS）及浸泡腐蚀技术，研究了激光熔化沉积γ／Mo2Ni3Si合金在不同酸，碱，盐介质中的腐蚀行为。结......
从金属硅化物的物理及力学性能出发指出了影响其应用的最大障碍是室温脆性，分析了金属硅化物的强韧化手段和机理，认为复合化是目前有......
采用微波等离子体退火方法使溅射的金属Ti膜与Si(111)衬底发生固相反应,直接生成低阻态的金属硅化物薄膜,XRD检测显示最终生成的C5......
本文利用X射线衍射和透射电子显微镜对离子注入合成的β-FeSi2和β-Fe(C,Si)2薄膜进行了研究.对掺杂C前后样品的对比研究表明,选择......
研究用MEVVA源注入在浅PN结上合成硅化钛和硅化镍,并用扩展电阻仪分析其电特性及对PN结特性的影响。研究发现,在As注入P-Si后形成......
采用悬浮真空熔炼和 800℃, 168h真空退火方法制备了含稀土 Sm的 FeSi2基金属硅化物,并对其晶体结构、Seebeck系数、电阻率进行了......
采用极化曲线、Tafel图和电化学阻抗谱（EIS）技术,研究了镍基固溶体增韧Cr（13）Ni5Si2金属硅化物合金在不同Cl^-浓度Na2SO4＋NaCl溶液中的......
金属硅化物具有很高的熔点、较低的电阻率、很好的化学稳定性和热稳定性等性能,因此得到了广泛的重视.本课题组最近发展了熔盐(无......
研究在离子束条件下硅基底上淀积金属薄膜及其界面结构在退火条件下金属硅化物的形成和变化特点,即15keV的Ar+在IBAD条件下直接生......
金属硅化物在VLSI/ULSI器件技术中起着非常重要的作用,被广泛应用于源漏极和硅栅极与金属之间的接触。其中自对准硅化物（self-align......
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目前,超大规模集成电路（VLSI）已发展到每单片上制造100,000个以上元件的集成度,对这种电路除了要求新的电路设计、新的器件结构与工......
本文采用MEVVA源（Metal Vapor Vacuum Arc Ion Source）离子注入合成半导体型β-FeSi2和β-Fe（C，Si）2薄膜，用常规透射电镜（TEM）、高分辨电镜......
以Mo粉、Nb粉和S i粉为原料,采用机械活化/热压工艺制备（Mo1-xNbx）5Si3（x=0,0.4,0.6,1.0）型高温金属硅化物。通过XRD、SEM和EDS等分析......
