多晶合成相关论文
采用温度振荡法和改进的布里奇曼法进行了CdGeAs2多晶合成与单晶生长,生长出?28 mm×65 mm完整无开裂的CdGeAs2单晶体.用金刚石外......
随着科学技术的迅速发展,核技术已经渗透到科技、军事、环境、经济等各个领域中,使得核辐射探测器成了研究重点。而高性能的核辐射......
钼（钨）酸盐晶体具有优良的闪烁性能，如：密度大、发光效率高、衰减时间短，被广泛应用于核物理、高能物理、医疗诊断等领域。本论文选择了......
报道了红外非线性光学材料硫镓银多晶原料合成与单晶生长的方法──两温区气相输运温度振荡合成和坩埚旋转下降生长法．合成了高纯单......
采用二温区气相输运温度振荡方法合成了高纯单相致密的AgGaS2多晶，计算出晶格常数a＝5.7535nm,c＝10.3008nm，以及S原子位置x＝0.279，与PDF值......
分析了磷锗锌(ZnGeP2)多晶合成中的化学反应及其发生爆炸的原因,研究出防止安瓿爆炸的合成新工艺。采用改进的单温区合成法,配合梯......
两温区气相输运合成ZnGeP2多晶,易发生化学计量比偏离,产生Ge、Zn3P2等杂相,在合成坩埚(石英安瓿)内壁凝聚一层ZnP2和P的沉积物.通......
以（99.99%）Ga2O3和Tb4O7为原料,按照化学计量比并适当富镓配料,采用固相反应法（分段升温工艺）合成高纯、单相的铽镓石榴石（Tb3Ga5O12,简......
研究设计了ZnGeP_2多晶的合成装置,包括合成安瓿,合成炉结构与温场分布。利用自行设计的合成装置,采用两温区气相输运法进行ZnGeP_......
本文采用高温固相法合成了Sm^3＋掺杂的NasY（MoO4）。粉末样品。利用X射线衍射仪（XRD）、同步热分析仪（DSC．TG）、荧光光谱仪等分析测试仪器，对......
以高纯（6N）Cd、Si、P单质为原料,按CdSiP2化学计量比并适当富磷配料,采用传统气相输运法合成出CdSiP2多晶。X射线衍射（XRD）分析及Rietv......
采用离子型化合物函数模型,对CdSiP2多晶合成过程的反应焓、熵、Gibbs自由能以及化学平衡常数等热力学参数进行了计算,在1473 K合......
高纯度的多晶对生长优质单晶起着至关重要的作用。原料对石英坩埚的腐蚀,以及偏离化学计量生成的二元、三元中间相均会严重影响CdG......
采用改进的两温区气相输运合成方法（MTVTM）合成PbI2多晶原料,简化了合成工艺,有效避免了合成安瓿爆炸。XRD分析结果表明：新方法合成的......
本文对PbI2合成反应体系的反应焓变,反应熵增,Gibbs自由能变化和反应平衡常数进行了理论计算,从热力学角度论证了选取PbI2熔点（678K......
按富P 0.5%配料工艺,采用改进的两温区气相输运法合成ZnGeP2多晶原料,既简化了传统两温区法的装料工艺,又有效避免了合成安瓿爆炸,......
ZnGeP2多晶的合成是其单晶生长的前提和基础,多晶材料的质量是生长高质量单晶的关键。因此,要获得高质量的ZnGeP2单晶体,必须提供......
采用高纯（99．9999％）Ag、Ga、In和Se单质为原料，按化学计量比富Se0．3-0．5％配料，通过机械振荡和温度振荡相结合的方法合成出单相高致密AgGa1-x......
富Pb配料、采用两温区气相输运法合成了单相的PbI2多晶材料,实验中出现熔体分层的现象.对合成结果的X射线衍射分析（XRD）和能量色散X......
本文直接使用高纯Ag，Ga，Ge，S单质作为原料合成AgGaGeS4多晶。为防止S蒸气高压使多晶合成管炸裂，采用双温区气相输运的合成方法。对合成......
采用直接合成方法无法得到纯相的碲镓锂（LiGaTe2）多晶原料,因此提出了两步合成法进行LiGaTe2多晶原料合成,即先合成二元相Ga2Te3,再......
按同成分熔化点配料,采用改进了合成温控条件的双温区气相输运法成功合成出AgGaS2多晶原料,通过精确控温,有效避免了反应过程中由S......
选择ZnSe多晶合成中具有最大气体总压力的Zn—Se-NH4Cl体系，通过在合成温度下减小石英坩埚内外压力差的途径，设计了专门的气体高压晶......
硒锗钠（Na2Ge2Se5）是一种极具潜质新型红外非线性材料。但该化合物具有明显的制备难点。根据其制备特点,自行设计并搭建反应装置,高......
硒化镉（CdSe）是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,在核辐射探测、非线性频率转换等方面都有着重要的应用。高纯原料是生长优质CdSe单晶,......
含有硫/硒（S/Se）元素的部分化合物在现有中红外非线性晶体材料中占据相当重要的地位。高纯多晶原料是生长优质S/Se光学晶体的基础,但......
砷锗镉(CdGeAs2)晶体是一种II-IV-V2族三元黄铜矿结构化合物半导体,熔点约为662℃,是已知非线性光学系数最大(d36=236pm/V)的一种......
介绍了红外非线性光学材料磷化硅镉晶体的性能特点,以及其多晶合成、晶体生长和光学参量振荡的研究进展情况。最后,指出了制约着大......
以高纯I2(5N)和In(7N)为原料,采用两温区气相输运法制备了In I多晶料,研究了高纯In I多晶合成工艺。用X射线粉末衍射(XRD)方法对合......
采用水平区熔法对由两温区气相输运法制备的In I多晶进行提纯,探索高纯、单相In I多晶的制备工艺。通过X射线粉末衍射仪、扫描电子......
随着核技术的发展与科技的进步,核辐射探测半导体材料在国防建设、医疗卫生等领域都具有广阔的发展前景。一碘化铟晶体有较大的禁......
硒化镉(CdSe)属于Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有优异的光学和电学性能。在红外非线性光学晶体材料研究领域,CdSe具有独特的优点:透光范围......
硫镓银（AgGaS2）晶体是典型的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族化合物半导体，属黄铜矿结构(点群D2d-42m)。其红外透波范围宽（0.45-13μm），具有适宜的双折射率和......
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