寄生晶体管相关论文
报道了一种新结构的功率栅控晶闸管，称其为槽栅MOS控制的晶闸管（TMCT）.在该器件结构中，采用UMOS控制晶闸管的开启和关闭.结构中不存在......
分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的双极性晶体管相比，反向偏置时MOSFET雪崩击穿......
本文从内部寄生效应分析了VDMOSFET雪崩击穿的机理，寄生器件在MOSFET的雪崩击穿中起着决定性的作用，寄生晶体管的激活导通是其雪崩击......
利用基尔霍夫电流定律修正双极晶体管的EM（Ebers—Moll，EM）模型，使得它适合描述4层结构的数字集成晶体管．利用数学软件MathCAD，对获取的E......
闩锁是集成电路结构所固有的寄生效应,这种寄生的双极晶体管一旦被外界条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致整个器件失......
在 PDP驱动电路中高压功率器件大量采用了 V DMOS器件 ,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管 VD......
在PDP驱动电路中的高压功率器件大量采用了VDMOS器件,由二次击穿引起的器件损坏不容忽视。本文讨论了双极晶体管和功率晶体管VDMOS......
