少子产生寿命相关论文
研究了半导体材料少子产生寿命的计算机辅助测量 ,设计了相应的产生寿命 C- t瞬态测量系统 ,能实现从阶跃信号产生直到测量结果输......
本文提出了一种采用脉冲ＭＯＳ结构测量少子产生寿命的统一表征谱方法，此方法基于任何一种收敛弛豫过程均可以转换成一种衰减的指数函数的......
提出了MOS电容线性电压扫描法测量半导体少子产生寿命的新方法.通过在MOS C-t瞬态曲线上读取n个不同时刻的电容值,确定出相应的少......
研究了半导体材料少子产生寿命的计算机辅助测量，设计了相应的产生寿命C－t瞬态测量系统，能实现从阶跃信号产生直到测量结果输出全过程......
在硅集成电路工艺中可采用吸杂工艺来改善器件性能,而应用MOSC-t方法测试的少子产生寿命是反映吸杂工艺效果的重要参数,因此,准确......
本文介绍了Si-SiO<sub>2</sub>结构特性与MOS晶体管和集成电路性能参数之间的关系。阐明在集成电路生产过程中MOS C—V技术应用的......
本文分析了非均匀掺杂衬底ＭＯＳ结构的电流和电容对线性扫描电压的瞬态响应，采用较精确的产生区模型，提出了瞬态电流和瞬态电容联合技术测......
本文采用线性扫描法测定未知掺杂ＭＯＳ结构少子产生寿命空间分布，结果表明，本方法是简单准确的。......
