集成电路生产相关论文
学习沟通执行河北普兴电子科技股份有限公司是中国电子科技集团公司第十三研究所控股的股份制公司,成立于2000年,是国家认定的高新......
在大规模集成电路生产中,对掩膜版与硅片刻线宽度的在线检测是保证质量的重要手段。本文介绍了一种高精度,自动化的线宽测量仪。阐述......
据国家计委消息,经国务院批准,国家计委、国家经贸委和外经贸部最近联合发布《外商投资产业指导目录》,国家鼓励外商在华投资的电......
日本开始执行两项经费充足的半导体研究计划,旨在促进21世纪的技术革新.第一项计划是由日本10家主要集成电路制造商仿照美国半导体......
随着设计尺寸的缩小,改进曝光场内套准精度变得十分重要。通过跟踪研究每个工艺步骤(即隔离层蚀刻和多晶硅淀积),发现硅局部氧化(L......
在《科学通报》的“综合评述”栏目中,王占山等指出,极紫外光刻最有可能成为下世纪初批量生产线宽小于0·1m集成电路的技术,近年来得到了......
本书是根据美国国家半导体公司编印的最新版本翻译的。美国国家半导体公司是国际上第一流的集成电路生产厂,其产品因设计先进、性......
近日,珠海南科宣布,将投资1.86亿美元,在广州科学城建华南首条微电子生产线。南科集团在科学城将主要设立单晶硅及8英寸集成电路......
巴斯夫日前宣布与IBM达成协议,共同开发先进集成电路生产过程中所需的电子材料。根据此协议,巴斯夫与IBM将开发化学解决方案,用于......
中国半导体行业协会二○○八年一月二十五日以中半协[2008]008号文下发了《关于2008年集成电路生产企业年审和认定工作的通知》,对......
在基于光刻模型的光学邻近校正(MB-OPC)中,线段与控制点的映射关系是影响校正结果的一个重要因素。现有的线段与控制点的映射关系......
北京七星华创电子股份有限公司(简称“七星电子”)与上海华力微电子有限公司签订2台12英寸(1英寸=2.54 cm)立式氧化炉供销合同,用......
经过半年多的筹备 ,由中国电子商会主办的“集成网”已于今年七月正式推出 ,集成网(www.IC -Net.com,cn)与全球四百多家集成电路生产厂、供应商和专业......
为适应机械工业自动化装置所需的特殊性能专用电子元件的生产与发展,襄樊仪表元件厂增建洁净厂房——集成电路生产楼3445平方米。......
利用光电显微镜瞄准精密刻线,已有了相当长的历史。在现代化生产中,如集成电路生产中,在半导体基片上依次重叠数种摄影掩模,几何......
双球面反射成象系统用于大规模集成电路生产中的硅片光刻和掩模复印有广阔的前景。本文提出用球形高压汞灯代替弧形汞灯作为曝光光......
一、人工模拟真况:利用电脑影像技术,在屏幕上创造假想的实况,使人类能够进入假想空间中体验。二、压力调适技术:现代人把刺激肉......
本文简要介绍了高纯水的水质要求,高纯水系统常用的塑料管材,管道对高纯水水质的影响及其测定方法。
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上海职业培训指导中心新兴产业培训基地,曾被国际劳工组织官员称赞为“国际一流水平”。走进基地,穿梭于集成电路生产、楼宇网络......
海关总署,信息产业部: 根据《国务院关于印发鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》(国发[2000]18号)的有关规定,经国......
据中国电子报1993年3月1日张笑虹报道,由机电部微电子司主持召开的“八五”全国IC CAT(集成电路计算机辅助测试)专家委员会成立大......
再过三年即将跨入世纪之交,回顾过去半个多世纪以来科学技术发展的历史,没有可以比以半导体超大规模集成电路为基础的微电脑的飞速发......
据美刊《电子封装与生产》1977年第九期报导,一套新型的直接分步重复片子系统(缩写DSW)有希望使光刻工艺作为经济的集成电路生产......
据《Semiconductor International》杂志1982年第2期报道,日本电气公司计划于明年(1983年)在美国建立一个大规模集成电路设计中心......
近年来,在集成电路生产工艺中已广泛开始采用等离子干腐蚀。其主要原因是,随着IC集成度的提高,必须进一步采用微细加工技术,这就......
本文主要介绍远红外加热技术在半导体集成电路生产工艺中的应用。从实验结果来看,远红外技术对集成电路的工艺筛选、高温老
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在集成电路生产过程中,我们发现了一个不引人注意,但又严重地影响着产品成品率的问题,即过量的硅-铝合金化能使集成电路性能下降.......
随着激光的应用领域不断扩大,已逐步把它应用到测量方面,近年已取得了很大的成绩。激光具有可干涉性、直线传播性、高亮度、振荡......
作为集成电路生产中的光刻工艺——照相制版工艺包括几个工艺,在各工艺中,使用以各工艺的处理为目的专用设备。比如:硅片涂胶工艺......
在当前的工业生产中,硅外延的最普遍的方法是SiCι_4+H_2热还原法.由于设备状态、衬底状态和对外延层的要求不同,工艺方法亦不可能......
在硅器件和集成电路生产中,广泛采用金属膜(如Al,Au等)做电接触的互连线,常规的刻蚀方法是采用化学溶液腐蚀,叫湿法.本文报道了一......
硅片洗涤在当今的集成电路生产技术中是非常重要的一个环节。但是,要想有效地使用硅片洗涤机,就必须掌握洗涤的基础知识以及市售洗......
外延衬底在集成电路生产中的重要性是众所周知的.日、美等国早就十分重视外延衬底制备以及外延工艺的研究,把它作为半导体器件生产......
由沈阳仪器仪表工艺研究所研制成功的该装片机,于1984年12月19日至20日在上海通过鉴定。鉴定会一致认为,该自动装片机具有结构简......
本文报道了5微米全掺磷硅栅CMOSIC封闭栅结构和封闭——条状混合栅结构的工艺技术.已于1983年研制成功了电源电压为5伏,门电路延迟......
机械部北京自动化所和北京仪器厂于1985年研制成功了一台ZLZ-200型离子注入机,并通过了机械部仪表局组织的鉴定离子注入机是生产......
美国信息网络公司的一份报告说,用激光定制专用集成电路对半导体工业和计算机工业具有引人注目的影响。激光在集成电路生产中应用......
一、生产厂家日本生产混合集成电路的厂家共有40家。其中生产厚膜混合集成电路的有22家,生产薄膜混合集成电路的有2家,二者兼有
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一、国内外生产工艺水平比较项目…美日…国内注 6l,1召m 3I, 5拼m离子注入其它新工艺正在试验阶段 低 略有改进子蚀离腐造法制干......
我们研究了目前国际上普遍采用的SiH_2Cl_2NH_3体系低压化学气相淀积氮化硅薄膜工艺.通过实验,获得了低压化学气相淀积氮化硅薄膜......