可动离子相关论文
半导体表面二氧化硅层中的可动离子对半导体器件,特别是MOS器件的可靠性和稳定性有着极其重要的影响。长期来,人们为了提高半导体......
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文中从化学结构和官能团特性推出了卤元素Si-SiO_2系统中可动离子钝化的模型和氢离子存在状态,满意地解释了有关各种钝化现象。
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研究了经γ射线辐照后MOS结构的SiO2薄膜中可动离子的能量状态和数量变化.结果表明,辐照后SiO2膜中可动离子的最可机陷阱能量下降,......
