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截止波长为2.5μm的延伸波长InGaAs探测器在航天航空遥感等领域有着重要应用。由于晶格失配,相同温度下它的暗电流比截止波长为1.7......
采用ICP(inductively coupled plasma etching)刻蚀与湿法腐蚀相结合的方式,研制了像元中心距为10μm、截止波长2.6μm的p-i-n型10......
为了研究延伸波长In0.83Ga0.17As pin光电二极管的暗电流机制。采用两种不同工艺制备了台面型延伸波长In0.83Ga0.17As pin光电二极......
短波红外铟镓砷(InGaAs)探测器材料的表面缺陷是发展大规模小像元焦平面阵列的核心问题之一,其中与衬底晶格失配的延伸波长探测器......
Ⅲ-Ⅴ族的In Ga As探测器由于其探测率高、工作温度高、抗辐照等特性在短波红外波段显示出明显的优势。随着航天遥感及成像领域对I......
InxGa1-xAs是应用于短波红外波段探测的优良材料,在空间遥感领域有着重要的应用价值。本论文针对高灵敏度探测的应用需求,围绕平面......
