扩散结相关论文
用含Ｚｎ的固态杂质源，在化合物半导体ＧａＡｓ基片上进行了连续波（ＣＷ）１０．６μｍ激光诱导扩散，做出了Ｐ－Ｎ结。分别利用扫描电子显微镜和二次离子质谱仪对扩散样品......
利用１．０６μｍ脉冲Ｎｄ∶ＹＡＧ激光，以含Ｚｎ的固态杂质源在化合物半导体ＧａＡｓ基片上进行诱导扩散，作出了Ｐ－Ｎ结。获得了亚微米的扩散结结深及１０２０ｃｍ－３量级的表面掺杂浓度，并......
用P型Pb_(1-x)Ge_xTe(0.05≤x≤0.11)通过锑杂质扩散形成n-p结已制成光伏红外探测器。在77和195K之间的温度下进行了测量,其长波响......
一、前言 磷扩散是半导体器件和集成电路的基本工艺之一,磷扩散的分布状况对半导体器件和集成电路的性能、成品率有很大影响。半......
