薄层电阻相关论文
针对铝乳胶源涂布与气相镓相结合的开管受主双质扩散技术，本文就其掺杂机制进行了分析讨论
Aiming at the open-tube acceptor dou......
自对准硅化物通常用于降低多晶硅栅的薄层电阻(Rs)和硅源/漏(S/D)区域的接触电阻。对于90nm以下的器件,S/D区域还要求是重掺杂的超......
本工作研究了掺砷二氧化硅乳胶源的制备、涂布及扩散工艺、扩散规律。把掺砷乳胶源应用到集成电路TTLSM323生产的隐埋扩散中去,得......
有关片状磷源扩散性能,以及在器件扩散工艺中应用情况,国内外已有不少文章报导。虽然这种扩散源工艺上还存在不足之处,但已被公认......
到目前为止,极大多数的分立元件和集成电路的制造都是采用液态三溴化硼或者汽态乙硼烷作为硅热扩散的 P 型扩散源。这两种方法都......
一、引言 液态源硼扩散是应用比较普遍的一种扩散方法,典型的作法是采用气体携带法,用N_2把扩散源蒸汽携带到要扩散的样品附近,以......
一、前言 磷扩散是半导体器件和集成电路的基本工艺之一,磷扩散的分布状况对半导体器件和集成电路的性能、成品率有很大影响。半......
本文介绍了采用国产的片状固态磷扩散源所进行的磷扩散工艺实验及其结果。有效成分为偏磷酸铝和焦磷酸硅的磷源片具有无毒、贮运方......
本文研究了SiO_2掩蔽膜硼离子注入硅的卤钨灯辐照快速退火,测量了注入层表面薄层电阻与退火温度及退火时间的关系,得到了最佳的退......
本文简要评述砷乳胶源的应用技术,讨论了控制表面损伤及获得浅结高浓度砷的某些重要因素,介绍该技术在高频功率器件上应用的实例.
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本文叙述了Van der Pauw(VDP)测试结构的基本原理及测量方法。试制了七种这类的测试结构。用圆形VDP结构和匹种不同形状的十字形结......
四探针测试技术是半导体工业检测电阻率时采用最为广泛的测试手段之一。随着时代的不断进步，半导体产业飞速发展，以单晶硅片为衬底的......
随着科学技术的飞速发展,集成电路和软件早已经成为信息社会经济发展的基石和核心,其中集成电路是最能体现知识经济特征的典型产品......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
分别对不同薄层电阻的扩散片制成的单晶硅太阳电池和同样薄层电阻不同频率沉积的SiN薄膜的单晶硅太阳电池的光谱响应进行了比较,从......
分别对不同薄层电阻的扩散片制成的单晶硅太阳电池和同样薄层电阻不同频率沉积的SiN薄膜的单晶硅太阳电池的光谱响应进行了比较,从......
四探针薄层电阻测试仪具有量程选择方便、恒流源电流可调及数据读出迅速、稳定的特点。因此，本文结合半导体制程中扩散层薄层电阻测......
主要介绍了测试薄层电阻等值图所反映出ＩＣ离子注入工艺存在的种种问题，以及改进结果和进行有效的监控，这对ＩＣ生产是非常重要的。......
利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法在多晶硅片上生长Si N_X：H膜,研究了不同沉积压强与Si N_X：H膜折射率和钝化效果的关系。在沉......
从理论上分析方形四探针和直线四探针薄层电阻测试方法中探针游移所造成的系统偏差,推导出计算游移偏差的公式,并作图展示探针游移......
分析了轻掺铬半绝缘砷化镓单晶中位错密度和薄层电阻。用熔融氢氧化钾腐蚀显示位错，用暗点扫描法测薄层电阻。结果表明：单晶中位错密......
提出了一种模拟任意形状的薄层电阻的方法－－电阻网络元模拟算法。将模拟值和计算值进行比较表明，该方法具有精度高和操作简单的优点，从......
分析了各种半导体材料电阻率测量方法的优缺点及适用性,利用电阻抗成像技术（EIT）,探究了一种用来检测Si片内微区薄层电阻率均匀性的......
在本文中所叙述的内容，主要是关于导体电阻的基本测量技术，重点介绍关于有机导体材料的电阻测量，从原理上讲，对于一般导体电阻的测定也......
对半导体硅片进行薄层电阻测试的过程中,当探针接触半导体材料表面,将向表面材料中注入载流子,这将影响薄层电阻测量数据的误差,文......
论述了用无接触方法测试大型硅片电阻率均匀性的新方案．回顾了EIT技术的发展与成果，对其基本原理和重建算法在理论上进行了描述，提出......
概述了微区电阻测试方法及其均匀性表征方法的应用,利用自主研制的斜置式方形四探针微区薄层电阻测试仪,对P型硅芯片进行了无图形R......
分别对不同薄层电阻的扩散片制成的单晶硅太阳电池和同样薄层电阻不同频率沉积的SiNx薄膜的单晶硅太阳电池的光谱响应进行了比较，从......
研制出检测ULSI芯片的薄层电阻测试仪，可用于测试无图形样片电阻率的均匀性，用斜置的方形四探针法，经显微镜、摄像头及通信口接入计算......
介绍了GaAs MMIC(GaAs microwave monolithic integrated circuit)工艺运用监测技术控制工艺过程,实时掌握工艺状况,保证产品的一......
简述了经典四探针法与双电测组合探法测量电阻率的优缺点 ,重点对双电测组合四探针法测量半导体电阻率的测准条件进行了阐述。并分......
优化设计太阳电池的电极图形可以获得高的光电转换效率。文中以实例介绍了晶体硅太阳电池上丝网印刷电极的优化设计,讨论了电池的......
在半导体的生产和制造过程中，电阻率是检测半导体材料掺杂浓度的一个重要性能指标，因此测试微区电阻率成为了加工芯片时的一道重要工......
对四探针技术测试薄层电阻的原理进行了综述,重点分析了常规直线四探针法、改进范德堡法和斜置式方形Rymaszewski 法的测试原理,并......
硅化镍(NiSi)因具备低硅耗、低电阻率、低热预算、没有明显线宽效应等特性,被广泛应用于源漏极接触部分和栅极与金属的接触部分中......
