掺锡氧化铟相关论文
传统透明导电材料掺锡氧化铟(ITO)具有方阻低、可见光范围内透过性好等优点,被广泛用作各种显示器和太阳能电池的透明电极。然而,......
掺锡氧化铟(Indium tin oxide,简称ITO)薄膜是目前应用最为广泛的透明导电薄膜。以石英光导纤维为基体负载ITO薄膜,可以充分利用IT......
氧化物半导体材料种类繁多，针对它们的研究无论是在基础科学还是在技术应用中都有着重要的意义。在纳米材料中，一维纳米材料以独特的......
In_2O_3基透明导电薄膜由于其独特的光学和电学性能：可见光区域的高透过、红外区域的高反射以及低的电阻率，而在光电器件特别是平板......
目前掺锡氧化铟(Indium Tin Oxide，简称为ITO)占据了透明导电薄膜市场的主要地位，但由于物以稀为贵，资源匮乏的In元素极大增加了ITO薄......
掺锡氧化铟(ITO)薄膜是一种高度简并的n型半导体材料,电阻率大约为2-4×10~(-4)Ω·cm,它是一种宽带隙(3.3-4.3 ev)的半导体材料,......
加拿大的研究人员发现,在传统OLED的电极材料上涂上一层氯原子涂层,不但可提高OLED的发光效率,还能大幅简化生产工序,降低生产成本......
采用溶剂超声、H2SO4溶液浸泡和NaOH溶液处理等方法对掺锡氧化铟（In2O3：Sn）导电玻璃进行了表面改性,基于原子力显微镜（AFM）和接触角表征......
用溶胶-凝胶工艺在掺锡氧化铟导电氧化物基底上制备了锆钛酸铅（PZT）铁电薄膜．采用快速热处理工艺改进铁电薄膜的晶格取向，用X射线衍射......
测试了多种黏合剂和粉体及以聚氨酯树脂为黏合剂制成的涂膜在8~14μm波段的发射率。结果表明,Karton树脂红外透明性好,具有较低的......
采用超声波分散和物理分散箱结合，制备了掺锡氧化铟纳米涂层并用电子扫描显微镜对涂层中填料的分散状态进行了表征，结果表明该涂料已......
采用脉冲激光沉积法,控制靶基距分别为4,6,8cm,在聚乙烯对苯二甲酸酯基底上沉积铟锌氧化物、铟锡氧化物和铝掺杂氧化锌薄膜,研究了......
主要技术内容：掺锡氧化铟（Indium Tin Oxide，简称ITO）材料是一种n型半导体材料，该类材料包括ITO粉末、靶材、导电浆料及ITO透明导电薄膜......
用sol-gel法在掺Sn的In2O3导电透明膜（ITO）衬底上，制备了La掺杂的PbZr0．5Ti0.5O3（PLZT）铁电薄膜。研究了La掺杂量对薄膜的铁电、介电和漏......
氧化物半导体材料种类繁多，针对它们的研究无论是在基础科学还是在技术应用中都有着重要的意义。在纳米材料中，一维纳米材料以独特的......
从氧化锡的掺杂含量、粘合剂的选择和粘合剂的用量三方面对以掺锡氧化铟（ＩＴＯ）掺锡氧化铟半导体为颜料的涂料在８～１４μｍ波段红外发射率进行了研......
基于本实验室的实验条件,采用射频磁控溅射、等离子干法刻蚀等技术成功制备出具有ZnO∶Ga(GZO)透明电极的LED芯片。实验研究了相同......
介观太阳能电池(Mesoscopic solar cell, MSC)是一种利用纳米介孔结构进行光捕获和电荷分离的新型的太阳能电池。其中,染料敏化太......
准一维纳米材料在基础科学研究和潜在的技术应用方面都非常重要,因此准一维纳米材料,包括纳米线（棒）、纳米管、纳米带、纳米同轴电缆......
采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了掺锡氧化铟（ITO）透明导电薄膜，通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等测试方法，研究了沉积速......
