铝掺杂氧化锌相关论文
量子点太阳电池作为第三代太阳能电池,因具有禁带宽度可调、可溶液加工且可大面积制膜等优点,正受到越来越多的关注。硒化铅量子点......
随着计算机、触摸屏、太阳能电池、液晶显示等领域的不断发展,一种新的半导体材料—透明导电薄膜应运而生。在太阳能电池中,作为电......
透明导电薄膜是光电子器件中的一种关键性材料，在薄膜太阳能电池、平面显示、触摸屏等领域有着巨大的市场需求。随着透明导电薄膜技......
铝掺杂氧化锌（AZO）薄膜，具有良好的光电学性能，同时原料丰富、成本低、无毒，而在平板显示器、薄膜太阳能电池、触摸屏等光电设备上有较......
在太阳能电池和平板显示行业高速发展的今天,透明导电氧化物(TCO)的作用越来越重要。绝大部分实际生产中应用的TCO为铟掺杂氧化锡(......
透明导电薄膜是一种既能导电又在可见光范围内具有高透明率的一种薄膜.常见的透明导电薄膜为ITO（锡掺杂三氧化铟）、AZO(铝掺杂氧化锌......
采用直流脉冲磁控溅射方法在非晶硅薄膜上制备AZO背反电极，比较不同制备参数对透过率及效率的影响。采用优化参数，得到效率增加了0．8％......
采用溶胶-凝胶法制备了铝掺杂氧化锌（ZAO）纳米粉体。使用X射线衍射仪（XRD）研究了Al2O3掺杂对ZnO物相结构和晶粒度的影响，结果表明，Al离子......
采用原子层沉积技术和多孔聚氨酯牺牲模板制备了氧化锌（ZnO）和铝掺杂氧化锌（AZO）纳米薄膜并研究了其光催化性能。首先利用原子层沉积技......
采用脉冲激光沉积法,控制靶基距分别为4,6,8cm,在聚乙烯对苯二甲酸酯基底上沉积铟锌氧化物、铟锡氧化物和铝掺杂氧化锌薄膜,研究了......
采用直流脉冲磁控溅射方法在非晶硅薄膜上制备AZO背反电极,比较不同制备参数对透过率及效率的影响。采用优化参数,得到效率增加了0......
分别以98：2（质量比）的ZnO–Al_2O_3混合粉体和预处理粉体为原料,在不同热压温度、压力、保温时间下,采用原位热压工艺制备铝掺杂氧化......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
通过检索近年来关于铝掺杂氧化锌薄膜晶体管(AZO-TFT)的相关文献,对文献进行研究综述。作为铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO-TFT)的替......
氧化锌是禁带较宽的金属氧化物,属于半导体材料。氧化锌物理化学性质较稳定,原料丰富、制备成本比较廉价,而且拥有良好的气敏、光......
聚丙烯酸酯（PAE）是丙烯酸酯类单体的均聚物或共聚物,在电子封装和构筑电子器件等领域具有广泛的应用。针对导电粘接的需要,本研究制......
采用碳还原法制备了四角状氧化锌晶须(T-ZnOw)，采用溶胶凝胶法制备了铝掺杂氧化锌(AZO)纳米粉体，并采用水热法、共沉淀法各自制备了......
多晶的或无定形的透明导电氧化物（Transparent conducting oxides,简称TCOs）,由于其独特的光学和电学性能,成为近年来研究的热点。其......
氮化镓(GaN)是一种新型的第三代半导体材料,具有高击穿电压,高热稳定性,禁带宽度高达3.42V等特点。近年来,GaN广泛应用在高功率、......
氧化锌作为一种宽禁带半导体材料,近年来受到广泛的关注。和ITO相比,氧化锌具有廉价,无毒,在空气中更加稳定的特性。氧化锌n型导电......
基于氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT)的显示器是最有希望成为下一代平板显示器的候选者之一。因为它可以满足下一代平板显示高清、低功......
采用化学水浴法制备Al掺杂的ZnO纳米棒阵列,研究其在染料敏化太阳能电池中的性能。X射线分析和X射线光电子能谱分析表明:Al成功掺......
