杂质分凝相关论文
得益于金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）性能提高、尺寸缩小,半导体集成......
本文介绍了改良西门子法多晶硅生产中的硅芯制备技术,包括区熔法硅芯制备技术和切割法硅芯制备技术。简要介绍了两种硅芯制备技术......
由于多晶硅薄膜晶粒间界存在大量的悬挂键与缺陷,形成带隙能态,从而导致在有源层中形成载流子陷阱和杂质分凝,本文从微观方面解释......
本工作研究了Ba3+，Pb2+，Ca2+等9种金属离子在Sr(NO3)2晶体生长过程中的分凝行为。采用蒸发溶剂方法生长晶体。蒸发溶剂的温度固定在4......
浮区结晶法是生长体单晶的重要方法之一．本文从理论和实验两方面综述了浮区结晶法中熔体内宏观场对体单晶中杂质分布均匀性影响的定......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
为了满足尺寸不断缩小的金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)技术的需求,需要在低温条件下实现肖特基势垒高度的调节,利用杂质分凝技术......
近年来,多晶硅市场迅速增长,亟需研发低成本、无污染和工艺稳定的多晶硅制备方法。利用冶金法技术可以有效地去除硅中金属杂质、B......
