栅泄漏电流相关论文
GaN作为典型的第三代半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电压高、耐高温及抗辐照等优点。尤其是其与AlGaN材料制作的高电子迁移率晶体......
针对InAlAs/InGaAs InP基HEMTs提出了一种16参数小信号拓扑结构.拓扑结构中引入栅源电阻(R gs)表征短栅沟间距引起的栅泄漏电流效......
GaN半导体材料的禁带宽度为3.45eV,属于宽禁带半导体材料,另外GaN的电子饱和速度很高,同时其导热性能良好,这使得GaN材料在微波大......
在跟随摩尔定律等比例缩小器件尺寸的进程中，为保证电流的驱动能力，并减小栅泄漏电流，高k栅介质的应用成为必然趋势。为寻找一种能够......
