椭圆缺陷相关论文
本文报道ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能．这种材料由ＧａＡｓ阱和ＡｌＧａＡｓ势垒组成，除内ｎ型掺杂，具有５０个周期．利用分子束外延技术成功地生长......
设计了一种高双折射低有效模场面积的光子晶体光纤(PCF)。利用有限元法依次研究了三层椭圆孔光子晶体光纤在纤芯中引入矩形排列的......
ＷＣ－Ｃｏ合金的强度与韧性的关系（日）贞孟史，荞麦田薰关于ＷＣ－Ｃｏ合金的抗弯强度Ｇｕｒｌａｎｄ等人早已研究了组织因子（Ｃｏ量，ＷＣ粒度，内孔隙）的关系。由于某些内孔隙影响最大......
在国产首台CBE设备上,生长了GaAs上的GaAs,InP上的InP,InP上的InGaAs以及GaAs上的InGaAs多量子阱四种材料。纯GaAs为p型,载流子浓......
为满足快速准确测量分子束外延(MBE)生长的GaAs表面椭圆缺陷,提出了基于表面颗粒度扫描仪(Surfscan)测量椭圆缺陷的方法.根据理论......
指出以往某些文献中引入的体积力以及本构方程不妥,重新讨论了在电学绝缘条件下的无限大体中含椭圆孔洞的全场应力解。利用PMN材料......
综述了分子束外延材料的表面缺陷－主要是椭圆缺陷－的种类、特征、起因、消除方法等，重点介绍了可能导致椭圆缺陷产生的重要因素，如Ｇａ小液......
采用水冷离心铸管工艺,生产公称直径DN≥300mm的离心铸铁管时,由于径向壁厚偏差≥(1.3+0.001DN)mm和退火后铸态组织中珠光体含量过......
