气源分子束外延相关论文
用气态源分子束外延法制备了Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉｎｐｎ 异质结双极晶体管．晶体管基区Ｇｅ 组分为０．１２，Ｂ掺杂浓度为１．５×１０１９ｃｍ － ３，ＳｉＧｅ合金厚度约４５ｎｍ ．直流特性测试表明，共发射极直流放大倍......
对利用气源分子束外延(GSMBE)技术生长的InAs/GaAs量子点激光器的工作结温进行了研究,结温的测试是基于量子点激光器的温度升高会......
太赫兹(THz)科学与技术是一门发展十分迅速的交叉学科，在科学研究、工业以及军事领域都具有广阔的应用前景。THz辐射源作为THz技术......
自组装GeSi量子点的研究得到了广泛的关注，它是实现Si基光电器件的重要材料。毕业论文中主要研究内容如下：
1、独立设计了一台......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
利用气源分子束外延(GSMBE)技术,在InP(100)衬底上生长InAs量子点激光器。有源区包含5层InAs量子点,每层量子点的平均尺寸是2.9 nm......
在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制,建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长SiGe/S i材料的原位掺杂......
利用气源分子束外延技术（MBE）制作了GeSi自组装量子点样品。利用原子力显微镜（AFM）和光致荧光（PL）光谱研究了该量子点的形貌和光学性质。......
