21世纪以来,作为平板显示背板的金属氧化物薄膜晶体管(MO-TFT)发展迅猛,其在低成本、高迁移率、大面积均匀性方面有巨大优势。磁控......

本文研究了热压烧结条件对氧化铟锌（IZO）靶材和薄膜晶体管（TFT）性能的影响。以80％：20％（质量分数比）的ZnOg和In203的混合粉体为原料通过热压......

本文研究了热压烧结条件对氧化铟锌(IZO)靶材和薄膜晶体管(TFT)性能的影响。以80%:20%(质量分数比)的ZnO和In_2O_3的混合粉体为原......

本文采用钼-铝-钼(Mo/Al/Mo)叠层结构作为源漏电极,制备氧化铟锌(IZO)薄膜晶体管(TFT).研究了Mo/Al/Mo源漏电极中与IZO接触的Mo层......

近年来，氧化物薄膜晶体管（TFT）以其制备温度低，电子迁移率高、透光性能良好等优势在平板显示、电子纸、生物传感等领域具有巨大的潜力......

氧化物薄膜晶体管因其高迁移率、高透明性而备受关注。作为薄膜晶体管的重要组成部分,栅介质材料质量的好坏直接影响到器件的整体......