氧化锌基薄膜相关论文
氧化锌(ZnO)是一种直接带隙半导体材料,室温下带隙为3.37eV,激子束缚能为60meV。ZnO因其优越的光电特性在高亮度蓝紫光发光器件、......
随着紫外光探测器在微电子、环境保护、火灾预警、生物、医学研究、天文学以及军事国防等领域应用的日益增长,新型高性能、低成本......
ZnO室温下的禁带宽度为3.37eV，吸收边位于紫外波段，在可见光区透明，与MgO合金化得到的更宽禁带的ZnMgO薄膜可应用在深紫外光电器件中......
透明导电氧化物薄膜是新型光电薄膜中极为重要的一类,其在太阳光谱可见光范围内透明,对红外光有较强的反射,且电导率较大,因而是一......
随着信息科学技术的发展,电子系统对存储器的要求越来越高,特别是随着可移动智能设备、云计算机、云存储和高清影音的出现。存储器......
氧化锌是一种极富生命力的宽直接带隙半导体材料。由于其所具备的出色的物理属性而受到研究人员的广泛关注，如大的激子束缚能(60meV......
ZnO是直接带隙Ⅱ-Ⅵ族化合物，具有宽的禁带宽度，高的激子结合能，环境友好，原料丰富等优势，作为一种新型的光电半导体材料而备受关注。自......
用sol-gel法制备ZnO及掺杂Al3+的ZnO半导体薄膜,利用XRD和AFM对薄膜结构和形貌进行表征.测量了不同掺Al量的薄膜在紫外光照射下电......
氧化锌是一种具有立方晶体结构的直接带隙半导体材料。在室温下,通过镁元素的掺杂可制得氧锌镁合金薄膜,使得这种薄膜材料的禁带宽......
