氧杂质相关论文
AlN晶体中的氧杂质会严重影响晶体性能。因此, 氧含量的控制一直是AlN晶体生长工艺中的热点和难点。为了减少AlN晶体中的氧杂质含......
使用自主研发的钨系统中频感应加热炉对AlN粉料进行了烧结提纯处理实验,并用XRD、SEM、IGA和GDMS等表征方法分析了烧结后的样品。......
极化效应会导致GaN基发光器件的效率降低,因此关于非极性和半极性GaN单晶的研究受到了广泛关注。为了进一步探究不同极性GaN的发光......
以氮化镓(gallium nitride,GaN)为代表的第三代宽带隙半导体材料,由于其优良的光学(带隙宽度可调:0.67-6.2 eV)和电学(高击穿电场......
学位
AlN薄膜属于第三代半导体材料中非常有商业潜力的一种超宽带隙的半导体材料。它兼具多种优异的物理性能,应用领域也非常广泛。本文......
三甲基铝是一种高纯金属有机化合物(简称MO源)。是制造高亮度发光二级管(LED)、新一代太阳能电池、相变存储器、半导体激光器、射......
研究了氧掺杂Ge Sb Te磁控溅射相变薄膜在 4 0 0～ 80 0nm区域的光学常数 (n ,k) ,发现不同氧成分薄膜的光学性质有较大差别 ,经过热......
期刊
通过构建TTT图及先析相析出动力学分析，研究氧对Vitreloy105合金热稳定性及玻璃形成能力（GFA）影响的“全景效应”。结果发现，由于先析......
基于纳米复合Ti—Si—N薄膜硬度对界面相微结构及微尺度变化极为敏感的实验事实，定量表征了薄膜的硬度与氧杂质含量的关系．结果表明，......
以结晶Zr捧及海绵Zr为原材料、利用浇包型坩埚电弧炉倾斜铸造法制备了不同氧杂质含量的Zr52．5Cu17．9Ni14．6AlloTi5块体非晶合金楔形试......
氧杂质对氟化铈闪烁晶体的有害影响陈刚任绍霞郑燕宁张春生李翠萍陈晓红（北京玻璃研究院，北京１０００６２）ＨａｒｍｆｕｌＥｆｆｅｃｔｏｆＯｘｙｇｅｎＩｍｐｕｒｉｔｙｏｎｔｈｅＣｅｒｉｕｍＦｌｕｏｒｉｄｅＳｃｉｎｔｉｌａｉｏｎＣｒｙｓｔａｌＣｈｅｎＧａｎｇ.........
氮化铝(AlN)由于其禁带宽度大,热稳性和化学稳定性好,是稀土掺杂基质中的热门材料。铈(Ce)作为5d壳层裸露的稀土元素,有着独特优异......
扫描隧道显微镜除了表面的形貌表征以外,还可以进行谱学测量。扫描隧道谱及其傅里叶变换的测量,将扫描隧道显微镜的探测范围从单纯......
通常在托卡马克第1壁沉积1层B膜，以降低托卡马克等离子体的O杂质。在HT-7第1壁位置处放了几个石墨样品，它们与HT-7一起硼化。硼化后......
晶体硅中的杂质会显著的影响各种硅基器件的性能,本文分析了直拉单晶炉中碳、氧杂质的引入机制,研究了减少碳、氧杂质的措施,并且......
用永磁体环形磁场直拉（ＰＭＣＺ）炉代替普通的ＭＣＺ炉生长了质量较高的单晶硅．在ＰＭＣＺ炉中水平辐射状磁力线均匀分布，可有效地抑制熔体中不规则的对流和固......
期刊
本论文主要介绍了化学方法合成立方氮化硼,该方法区别于传统的相变法,生成立方氮化硼的过程为化学反应。我们探索了利用三氧化二硼......
光催化分解水是解决当前能源危机和环境问题的一个理想途径,借助太阳光的能量与半导体光催化材料,水可以被直接分解成氢气和氧气。......
对氮化铝陶瓷基片的热导率进行了实验和理论分析。结果证实，烧结初始氧含量低的氮化铝粉体，加入较多的Ｙ２Ｏ３作烧结助剂才能获得最大热导率......
立方氮化硼(cBN)是一种人工合成的宽带隙Ⅲ-Ⅴ族半导体,它有许多优异的物理化学性质,如仅次于金刚石的硬度、高温下强的抗氧化能力......
对氮化铝陶瓷基片的热导率进行了实验和理论分析 .实验发现 ,初始氧含量低的氮化铝粉体烧结后得到的最大热导率较高 ,加入较多的 Y......
