AlN薄膜相关论文
近些年温度传感器的发展很迅速,随着在一些恶劣、特殊环境中检测需求的提出,有源有线的传感器容易受到约束。例如在高速运转的物体......
Al N拥有宽带隙、高击穿场强、好的热稳定性等优良特性,能够应用于制备高温、高功率电子器件、深紫外光电器件、声表面波器件和压......
在5G通信时代，体声波（BAW）滤波器件成为实现高性能射频（RF）滤波的有效解决方案。在当前BAW器件发展最成熟的薄膜体声波谐振器（FBAR）技术和......
AlN薄膜是第三代半导体材料,具有带隙宽、优良的声波特性、高热导率、优异的稳定性等特点,在光电、医学等多领域都非常有应用前景......
AlGaN基材料作为带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料，是制备紫外光电子器件的理想材料。在无法获得大尺寸、低成本的同质衬底的情......
随着我国航空航天事业的蓬勃发展,对飞行器的发动机等关键部位的实时温度监测需求越来越多。声表面波传感器（SAW）具有结构小、性能优......
利用单层六方BN材料(hexagonal BN:hBN)作为成核层, 用金属有机物化学气相沉积法生长AlN薄膜, 得到应力小裂纹少的外延材料。实验......
采用射频反应磁控溅射系统，在K9双面抛光玻璃基底上制备氮化铝薄膜，通过实验测试并结合数值拟合计算研究了其他参数保持不变的条件下......
智能可穿戴电子设备在人体健康监测和护理系统中的潜在应用受到广泛关注,与人体有良好相容性及稳定性的柔性可穿戴设备得到更好的......
AlN薄膜属于第三代半导体材料中非常有商业潜力的一种超宽带隙的半导体材料。它兼具多种优异的物理性能,应用领域也非常广泛。本文......
氮化铝（AlN）是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体材料,广泛应用于多种器件中。AlN薄膜具有宽带隙、高温稳定性等特点,可作为紫外光电......
航空发动机涡轮叶片表面温度及其分布的精准测量对发动机的设计、试验和维护等环节至关重要。晶体测温方法具有尺寸小、精度高、可......
Aluminium nitride AlN(100) thin films have been successfully deposited on Si(111) substrates by reactive magnetron sputt......
AlN薄膜具有很多优异的性能,在声电、光电等方面运用很广泛。制备AlN薄膜的技术种类很多,本文采用直流反应磁控溅射在Si(111)衬底......
ZnO薄膜在c轴方向具有较低有效介电常数、较高机电耦合系数，但是声表面波波速较低;AlN薄膜虽然具有较高的声表面波速，但是介电常数和......
面对当今器件微型化、集成化的发展趋势，具有特定功能的薄膜材料成为制作各种微电子、光电子等元器件的基础。氮化铝(AlN)由于具有6......
采用一维Mason模型，探讨体声波谐振器的频率特性，研究压电薄膜AlN、电极和声反射层膜厚对谐振频率的影响，优化谐振器的电学性能，为设计......
磁致伸缩材料与压电材料复合而成的磁电复合材料能够实现磁场-电场能量的双向转换,具有显著的磁电耦合效应,在微波领域、高压输电......
场发射平板显示器(field emission display, FED)因其卓越的性能而越来越受到关注。FED的关键技术是场发射阴极阵列的制备。而目前......
AlN薄膜具优异的物理化学性质，在光学、电学、力学和声学等方面有广阔的应用前景。尤其是(002)取向的AlN薄膜具有表面声波速率高，压......
学位
A1N薄膜具有很多优异的物理性质,如高的热导率、高的硬度、高的声表面波传播速度、高电阻率、较好的压电性、宽的能隙值等,因而在......
解决SOI(Silicon on Insulator)器件的“自加热效应”，制备出具有高热导率的绝缘薄膜是科研工作者研究的一个重要方向。本文在综述......
采用高真空直流磁控反应溅射成功地在５种基片上制备出多晶择优取向的ＡｌＮ薄膜。结果表明，５种基片均可生长（１００）面择优取向的ＡｌＮ薄膜，并且具有良好的......
设计并制造了新的潘宁型等离子体源实验装置,分析了等离子体的发射光谱和产生A lN的动力学机理。在室温条件下,纯氮气的工作环境中......
介绍了AlN薄膜物理性质及制备方法;综述了AlN薄膜作为薄膜电致发光(TFEL)器件发光层的研究现状;对AlN薄膜发光性能的应用前景做了......
本文研究了N2-Ar流量比对磁控溅射硅基AlN薄膜的影响,实验表明在其它参数一定的情况下,N2-Ar流量比对AlN薄膜元素种类与含量有很大......
采用离子束辅助中频反应磁控溅射技术在单晶硅及YG6硬质合金基体上沉积AlN薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、显微......
介绍了一种应用电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜的新方法 ,研究了N2 流量、阴极偏压、工作气压等工艺参数对合成AlN薄膜质量的......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
研究了 N2 流量、阴极偏压、工作气压等工艺参数对电子浴辅助阴极电弧源法合成 Al N薄膜质量的影响规律及其原因。
The effects o......
激光熔蚀反应淀积于 Si(10 0 ) ,Si(111)基底上的 Al N薄膜是高质量高取向性的 Al N多晶膜 ,薄膜与基底的取向关系为 Al N(10 0 )......
AlN是一种宽带隙半导体，它具有高温稳定性、高热导率、高弹性模量、非毒性，并且具有能从半导体到绝缘体的性质变化等优异的物理性质......
采用离子束增强技术(IBED)在100mm硅片上合成了AlN薄膜。以速率0.05nm/s蒸发高纯Al得到AlN样品,XPS结果证实了成功合成了AlN薄膜......
声表面波器件是一种利用压电材料的压电效应与逆压电效应工作电子器件,文章首先详细描述了声表面波器件的设计与仿真过程,运用有限......
在原磁控溅射三靶镀膜机上安装了UPS03反应溅射闭环控制单元,替代原有的级差法控制流量计改变反应气体流量的方法,实现反应溅射AlN......
采用磁控溅射方法,在高纯氩气和氮气混合气氛下成功制备出Al(W)-AlN系太阳能选择性吸收薄膜.借助吸收光谱分析,比较了Al、W两种反......
脉冲激光沉积法(PLD)以其低温成膜优势被公认为是宽禁带半导体AIN薄膜的优选制备方法.获得高质量的AIN薄膜需要最佳的薄膜/衬底匹......
采用直流磁控反应溅射法制备AlN薄膜.研究了靶基距、衬底温度和电极材料对AlN薄膜择优取向的影响.用XRD、AFM表征了AlN薄膜的结构......
利用中频反应磁控溅射在玻璃衬底上沉积了不同溅射功率的AlN薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜和电击穿场强测试系统研究了薄膜......
文章采用真空磁过滤电弧离子镀法在单晶Si（100）基片上成功制备了氮化铝（AlN）薄膜,并利用椭偏法对AlN膜进行了研究。根据沉积方法的特点......
摘 要：InN材料具有最小的有效质量和最高的载流子迁移率、饱和漂移速率，低场迁移率，是重要的半导体材料。该研究论文以价格低廉的普通......
AlN薄膜作为绝缘层材料,在微电子领域的高温高功率器件中有很大应用潜力.采用离子束增强沉积(IBED)法制备了AlN薄膜,采用X光电子能......
在压电换能器的制作中,电极对其谐振和反谐振频率、机电耦合系数及品质因数等重要性能有着直接的影响。该文针对AlN压电薄膜复合结......
本文通过ANSYS有限元分析软件对薄膜的热应力进行了模拟计算,并通过理论计算验证了其合理性。模拟出了薄膜应力值及分布情况,分析......
采用电弧离子镀工艺在1Cr18Ni9Ti奥氏体不锈钢表面沉积TiN、AlN薄膜，通过扫描电镜、摩擦磨损试验和高温氧化试验等方法研究了薄膜的......
采用单、双靶反应磁控溅射法分别在45钢、GCr15钢、硅（100）和钼衬底上制备了AlN薄膜。X射线衍射和电子显微分析表明,双靶反应磁控溅......
