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将In2O3和SnO2粉末按质量比1：1热压烧结制成靶材，采用射频磁控溅射制备了高性能的ITO薄膜。实验结果表明：氩气压强对薄膜的电阻率、可......
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了高质量的Ga掺杂ZnO透明导电薄膜（GZO）。通过X射线衍射、原子力显微镜、四探针电导率测试仪等......
采用磁控溅射方法在玻璃衬底上制备出了Al掺杂ZnO（AZO）薄膜,研究了溅射过程中不同氩气压强对薄膜光学、电学和微结构等方面性能的影......
采用直流磁控溅射技术在柔性衬底聚酰亚胺（PI）上制备ZnO：Al透明导电薄膜，研究氩气压强对样品薄膜结构、形貌和光电性能的影响，并与玻璃......
采用射频磁控溅射方法，用Ga2O3含量为1％的ZnO做靶材，在不同基体温度和不同溅射压强的条件下制备了高质量的GZO透明导电薄膜．结果表明：基......
