漂移速率相关论文
在光致漂移现象中,基态超精细能级光泵浦效应会影响激光作用下原子在各个能级的布居情况,进而影响原子光致漂移速率的大小。基态超......
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1 200 V,封装的器件电流室温达到5 A(正向压降2.1 V).通......
基于半球谐振陀螺的结构特点及制造工艺技术限制等因素，研究了半球谐振陀螺的漂移机理。文中重点介绍了正交漂移及其控制，推导出正交......
碳化硅(SiC)材料是一种近十几年发展起来的第三代宽禁带半导体材料,具有高击穿场强、高热导率、高饱和电子漂移速率,是制造高温、......
采用原位观测平台，研究分析了太湖竺山湾风速、湖流流速、波高以及藻类水平漂移特征及其影响因素，结果表明日间藻类水平漂移速率呈锯......
在光致漂移效应的研究中，激发光线宽会改变原子激发的速度选择性，进而影响漂移速率的大小．本文以原子光致漂移速率方程理论为基础，利用......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
