高热导率相关论文
钛合金以其优越的性能在航空航天、发动机等特种材料领域得到了广泛的应用,但是钛合金由于其自身的特性,其加工性非常差,在加工过......
深熔TIG焊是一种用于中厚金属板连接的新型焊接方法。它是在传统TIG焊基础上,配备特殊设计的焊枪以及大直径钨极来获得更大的电流......
热塑性弹性体不但具有塑料的可加工性，也拥有橡胶的高弹性，其与传统的橡胶作为基体的导热材料相比，它具有更加优良的可加工性。本征型......
采用气压浸渗法制备了热导率为850 W·m-1·K-1的铜-硼/金刚石复合材料翅片热沉,测试了其在自然冷却、强迫风冷和强迫水冷三种冷却......
色谱法分离混合物,具有效率高、速度快、选择性好和样品用量少等特点,是目前使用较为广泛且成熟的分离技术。但是传统色谱系统功耗......
据加利福尼亚州的 BFGoodrich Suppertemp报道 ,一种导热性能几乎和铝一样好而质量仅有铝的 2 / 3的低模量碳 /碳复合材料板材被研......
氮化镓(GaN)基功率器件性能的充分发挥受到沉积GaN的衬底低热导率的限制,具有高热导率的化学气相沉积(CVD)金刚石,成为GaN功率器件......
SiCp/Al复合材料具有高比强度、比刚度、高热导率(TC)、低密度和热膨胀系数(CTE)等优势,在汽车、电力电子、航空航天等领域具有诱......
学位
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1 200 V,封装的器件电流室温达到5 A(正向压降2.1 V).通......
高导热炭基功能材料是指具有高热导率的炭材料 ,是能源、计算技术、通讯、电子、激光和空间科学等现代技术的基础。一般炭材料的常......
采用双包层光纤对超快激光脉冲放大的研究已经成为一个热点课题[1,2]。双包层光纤实现了连续激光、Nd∶glass和Yb∶KGW等脉冲激光......
AlN是第三代直接宽带隙半导体材料的代表,具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,在制作大功率微电......
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新能源汽车控制器中的DC-Link薄膜电容器经常在接近115的环境中工作。集成设计的水；令薄膜电容器是提高其自身散热能力的有效方式，同......
<正>作为近来纳米科学领域的研究热点,新兴的石墨烯由于具有独特的二维结构、高比表面积和优异的热学性能[导热系数可高达3 000~6 ......
碳化硅(SiC)材料是一种近十几年发展起来的第三代宽禁带半导体材料,具有高击穿场强、高热导率、高饱和电子漂移速率,是制造高温、......
针对当前SMT中集成电路基板散热难的问题,结合热设计方法,系统地研究了热液条件下在高纯度铝基片上生长氧化铝膜的技术,并对制成的......
高热导率银粉导电胶是近几年为适合大功率高亮度LED封装用而研发的新型产品。介绍了高热导率银粉导电胶在LED照明中的应用现状及市......
氮化铝（AlN）陶瓷具有优良的热、电、力、光学性能，具有广阔的应用前景，已经引起了国内外研究者的广泛关注。以无水乙醇和异丙醇为混合......
叙述了在电子器件上常用高热导率陶瓷材料的性能和应用 ,主要包括BeO ,BN ,AlN等三种陶瓷材料。特别介绍了AlN陶瓷的发展前景及其......
合成含有刚性液晶基元的液晶聚合物(LCP),利用完整的聚合物网络与液晶基元的取向有序来提高LCP分子链的有序排列,构建以微观有序结......
以中间相沥青为原料,采用加压发泡法制备出不同结构和性能的高导热石墨泡沫。通过Sn-Bi合金高温熔融浸渍石墨泡沫,制备了电子封装......
金刚石是一种古老的晶体材料,是碳元素的一种单质存在形式。经过精心打磨的金刚石即为钻石,自古以来就由于其炫目的外表和坚硬的品......
日本三菱化学公司近期研究开发出一种铸造精密电子设备零件的高热导率铝合金，其牌号为DMS5。该合金特别适合于制造汽车电子设备，其综......
作者详细介绍了高热导率氮化铝陶瓷制备工艺的研究状况,包括粉末的合成、成形、烧结3个过程.指出低成本的粉末制备工艺和氮化铝陶......
当今,功率电子器件的发展方向是大功率、超高频,热耗散成为关键技术问题。本文对常用和前瞻性的陶瓷基和金属基高热导率的材料作了......
以中间相沥青为原料,采用加压发泡法制备出不同结构和性能的高导热石墨泡沫。通过Sn-Bi合金高温熔融浸渍石墨泡沫,制备了电子封装......
期刊
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
碳化硅(SiC)具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学稳定性和抗辐射等突出的特性与优势,决定了其在高功率器件、高......
AISiCp封装构件具有众多电子领域应用所需的优异性能：低密度、高热导率、高刚度和可设计调节的热膨胀系数。与Cu／W、Cu／Mo散热基板和K......
随着微电子技术的发展,T/R组件热流密度越来越大,封装材料也面临新的挑战,对新型高热导封装材料的需求变得愈加迫切。文章首先综述......
在高温高压条件下（HPHT,4～5 GPa,1430～1530℃）,采用高压烧结技术,利用Y2O3、MgO作为烧结助剂,通过和不同质量配比的氮化硅（a-Si3N4,β-S......
<正>美国专利US6592688B2本发明涉及一种具有高热导率的散热铝箔合金,该合金的成分为(质量%):1.2~1.8Fe,0.7~0.95Si,0.3~0.5Mn,0.3......
综述了高导热型聚合物基纳米复合材料的导热机理、填充型复合材料的导热模型、高导热型聚合物基复合材料及其导热填料的研究现状。......
从氮化铝陶瓷的实际应用领域进行了氮化铝陶瓷应用现状及前景的介绍;从其制备工艺介绍了氮化铝陶瓷的研究状况,并指出了低成本的粉......
本文以研究大功率LED为导向，首先为节约成本且获得高热导率的氮化铝陶瓷基板材料，在AlN粉体中添加自主合成的低熔点氧化物CaMgSi2O6......
ＭＣＭ的ＡＩＮ衬底直接铜焊接技术据日本《电子材料））１９９４年第７期报道，美国加州ＳａｎｔａＣｌａｒａ的ＩＸＹＳ公司成功地开发了用于ＭＣＭ的氮化铝（ＡＩＮ）衬底上直接进行铜焊接（ＤＣＢ）的技术。该公司过......
提出了一种新型图形化三埋层SOI LDMOS高压器件结构,利用阶梯埋层和埋层1窗口将大量空穴束缚于埋层1和埋层2的上表面,提高了两者的......
金刚石在目前所知的天然物质中具有最高的热导率,在高频、大功率GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）和电路的散热方面极有应用潜力。综述......
