片上电感相关论文
近年来毫米波无线通信技术由于其高数据率、大信息容量、低时延和高可靠性等突出的特点,在无线通信领域等到了广泛的应用实践。尤......
随着登纳德缩放比例定律（Dennard’s law）的失效,功率密度逐渐成为限制芯片计算能力的一个关键因素。当前,三维集成和多核芯片架构的......
将对称噪声滤波技术应用到4 8GHz LC全集成 VCO设计中.该 VCO具有很低的相位噪声以及 716MHz的调节范围,在SMIC 0 25μm单层多晶、......
本论文针对CMOS射频集成电路设计中的sub-nH片上平面螺旋电感,提出了一种新的电感物理模型。基于片上电感的高频物理特性分析,新模......
近年来无线通信的迅猛发展，对设备的集成度和性能要求越来越高。硅基片上集成电感满足了低损耗，高集成的要求。功率分配器，这样一种无......
近年来，随着特征尺寸的不断减小，深亚微米CMOS工艺的MOSFET特性频率已经达到200GHz以上，利用CMOS工艺实现吉赫兹频段的高频模拟电路已......
集成LC压控振荡器(VCO)是现代无线通讯系统中的关键模块，它被用来生成系统所需的本振信号。随着通讯技术的不断发展，对于通讯带宽的......
步入信息化时代,各种无线通信技术飞速发展,极大的便利了人们生活。作为最新兴起的识别技术,RFID在物流等方面得到了广泛应用。相......
近年来,随着无线通信技术的快速发展,相关领域的专用集成电路的设计研究备受关注;伴随着半导体工艺技术的不断进步,MOS器件的特征......
随着无线通信网络的飞速发展，一方面人们对数据传输速率的期望不断提高，各种速率越来越高的无线通信协议也应运而生，超宽带（UWB，Ultra-w......
随着便携式电子产品的小型化发展,高密度的系统解决方案已经成为一种需求。CMOS工艺的不断发展和芯片封装技术的不断进步,使得大尺......
随着电子科技的大力发展,消费市场对于电子设备的要求逐步向着便携式发展。便携式意味着小体积,低功耗以及高性能,这也使无线接收......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
片上无源电感是RF IC中需求很高的器件．将适宜的磁材料引入到射频微电感中，既可有效地提升电感L值，从而使电感所需面积减小，又能保持甚......
介绍了一个针对无线通讯应用的2-GHz低噪声放大器(LNA)的设计.该电路采用标准的0.6 μm CMOS工艺,电源电压为3.3 V,设计中使用了多......
基于Hajimiri提出的VCO相位噪声模型，分析了差分LCVCO电路参数对于相位噪声的影响。根据前面的分析，详细介绍了LCVCO电路的设计方法：......
摘 要：片上无源电感是射频集成电路中广泛使用的重要器件，它决定着一些关键组成电路的主要性能指标。但CMOS衬底的高电导率特性使片......
设计了一款3.7 GHz宽带CMOS电感电容压控振荡器。采用了电容开关的技术以补偿工艺、温度和电源电压的变化,并对片上电感和射频开关......
目前大部分电磁仿真软件在仿真片上电感时,需要从工艺库的文件中手动提取需要的相关参数;并且仿真环境的建立也比较繁琐,仿真时间......
建立了标准CMOS工艺电感在片测试寄生参量模型．实验验证了相同频率时，信号线寄生的串联电阻、串联电感、并联电容与信号线的长度成正......
将对称噪声滤波技术应用到4．8GHz LC全集成VCO设计中．该VCO具有很低的相位噪声以及716MH。的调节范围，在SMIC0．25μm单层多晶、五层金......
使用标准CMOS工艺，在放射状的n阱上面扩散p^＋，使垂直和水平方向形成双pn结，将此结放在电感的底部用来抑制衬底损耗。提出并实验证明了......
分析比较了不同种类衬底上无源器件（片上电感和电容）的损耗机理，在OPS（氧化多孔硅）和HR（高阻硅）低损耗衬底上分别实现了片上低通滤波器．为......
片上电感是射频集成电路中必不可少的元件。通过讨论了影响电感品质因数恶化的因素,如趋肤效应、邻近效应和涡流损耗等,对片上电感......
射频滤波器是无线通信系统的关键部件之一。本文根据射频SoC的需求，设计了一种基于Q-增强型射频有源CMOSLC型滤波器。该滤波器利用......
介绍了一种全集成的LC压控振荡器（VCO）的设计。该电路的中心频率为3．8GHz，电源电压为1．8V，采用0．18μm CMOS工艺制作。测试结果表明，VCO的......
中国大陆对IEDM 2006的另一个贡献来自于中国科学院上海微系统与信息技术研究所的李昕欣小组。他们的论文标题很长，＂A Post-CMOS Co......
在射频收发机前端中,频率综合器是非常重要的组成部分。频率综合器的性能决定收发机的关键指标。锁相环频率综合器系统利用反馈控......
在迅速发展的无线通信产业中，尤其是在硅基射频集成电路领域，高质量的无源器件的设计成为一个关键的问题。基于此，本文重点研究了超宽......
提出了一种应用于ISM频段的低相位噪声LC VC0。电路采用TSMC 0．18μm1P6M混合信号CMOS工艺进行设计，芯片版图面积740μm×700μm......
随着人们对于无线通信系统数据率需求的不断提高,即将到来的5G通信时代越发引入注目。而射频毫米波片上收发系统作为5G通信系统的......
目前可重构设计方法是电路设计方法中的一个热点。作为新的电路设计方法,可重构设计方法兼有软件的灵活性和硬件电路的高速性,同时......
提出了一种在标准数字 CMOS工艺条件下 ,提高片上螺旋电感性能的实用方法 ,以及在缺少双层多晶硅电容的情况下 ,可以大大节约芯片......
分析比较了不同种类衬底上无源器件(片上电感和电容)的损耗机理,在OPS(氧化多孔硅)和HR(高阻硅)低损耗衬底上分别实现了片上低通滤......
无线通信的迅猛发展激发了射频收发器设计的热潮。片上电感是高性能压控振荡器（VCO）、低噪声放大器和无源滤波器等集成电路模块的重......
无线通信技术和CMOS工艺的迅速发展使得越来越多的单片集成射频系统成为可能,而应用于数字高清电视的射频电视调谐器正是其中之一......
随着无线通信技术的不断发展,人们已基本实现了随时随地进行数据通信的梦想。同时人们也进一步要求容量更大、速度更快、性能更完......
本文面向未来5G通信系统的候选频率段6-7GHz,分别基于TSMC 0.13 μm CMOS 1P8M工艺和IBM 8HP SiGe HBT工艺设计两款工作于12-14GHz......
随着工艺的进步,电源电压裕度随之减小,加之成本的限制和单片集成上数字电路的噪声影响,传统的电荷泵锁相环越来越难适应现代无线......
近年来随着无线通信技术的飞速发展,使市场对射频集成电路产生了巨大的需求。CMOS射频集成电路以其成熟的工艺、低成本、低功耗的......
采用SMIC 0.13μm CMOS工艺,设计实现了开关频率达到250 MHz,单片集成的降压型电源转换器。为了提高电源转换效率,该转换器中的片......
从电磁理论出发解释了片上电感电流分配的原因，得出小横界面积金属的趋肤效应弱，大的金属线宽和相邻金属间距比的偶耦合临近效应小的......
基于TSMCN7工艺,使用了Cadence公司的Virtuoso和Lorentz Solution公司的PeakView作为仿真与验证平台,在不同的电磁屏蔽条件下,对制......
