栅极电流相关论文
受内部寄生参数与结电容的影响，碳化硅（SiC）功率器件在高速开关过程中存在极大的电流电压过冲与高频开关振荡，严重影响了SiC基变换器的......
摩尔定律的推动使传统MOS器件的短沟道效应到达物理极限,纳米线环栅场效应晶体管(GAAFET)以其独特的栅极全包裹结构而具有极强栅控......
学位
基于纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件结构,从基本的漂移扩散方程出发,分别建立了亚阈值区漏极电流模型和栅极电流模......
仪表放大器及其应用（二）南京航空航天大学纪宗南仪表放大器可以用一个或多个运算放大器组成，也可以设计成单片结构，这两种设计形式各有......
<正> 高电子迁移率晶体管(HEMT)能在高频(>60GHz)下工作,具有增益高和噪声系数小的优点,因而成为微波通信和高速微电子应用中的关......
测量了夫兰克赫兹实验中氩气管的经典线性伏安特性曲线,分别从栅极电流和板极电流的实验数据中反应出的氩原子第一激发能级量子化......
随着器件尺寸的不断缩小，栅极氧化层厚度也不断减小，这导致器件的栅极泄露电流迅速增大，从而影响器件的静态功耗、可靠性以及工作性能......
对于一个用作微弱信号放大的结型场效应晶体管来说,要求它具有尽可能低的噪声。本文分析了结型场效应晶体管的主要噪声来源,指出了......
