开关性能相关论文
介绍了一种用小镍-锌磁杯组成的小型磁脉冲压缩器，并将它成功地用于铜蒸气激光器电路中。同时给出了它的基本原理和理论设计，并且对......
介绍了一种利用介质折射率的负变化量制作光开关的基本原理及时间响应特性。从其工作原理出发,分析了其内折射率变化的主要机制;通......
透明导电膜电光开关通过合理的结构设计可以实现高效的热管理,是一种理想的高平均功率开关器件。建立了透明导电薄膜电光开关的模......
相比于传统的Si IGBT功率器件而言,碳化硅MOSFET可达到更高的开关频率、更高的工作温度以及更低的功率损耗。然而,快速的暂态过程......
近几十年来,芯片的生产工艺已经从60纳米发展到了7纳米,纳米级电子器件的发展前景越发的明朗。电子信息系统的推陈出新,半导体技术......
为改善芯片系统性能,本文主要围绕光交换芯片的网络拓扑结构和优化路由算法两方面开展研究。比较分析了不同拓扑结构之间的性能差......
本文开发出了一种利用磁性材料制作而成的微小器件,在外加磁场的作用下移动,进而控制液流的流向,形成阀的结构,并将该阀应用到微流......
随着全球能源的不断开发和利用,能源的高效利用越来越受到人们的关注,传统的硅基器件在大功率装置中的转换效率不断提升,目前传统......
球隙火花放电开关作为一种高电压、大电流的开关装置广泛应用在各种高能量脉冲器件中,这就要求开关必须能工作在高电压、高重复频......
微加工技术正被人们用来加工满足光通信系统要求的各类器件.在采用自由空间光学原理的器件中,针对交换、滤波和可调式衰减等应用的......
磁控反应溅射制备了AgOx掩膜,用聚焦激光热效应装置测得的光透过特性,分析了AgOx掩膜的开关性能.结果表明,AgOx掩膜在较低的温度作......
无锡创立达科技有限公司宣布成功推出新一代微触发单向可控硅TSE2P4M和TSE0405。这代产品采用全新的设计方法和工艺技术，大大改善了......
对配备一名维修人员且开关性能不稳定的两单元温储备系统进行了效益分析.该系统中有一个单元运行级别较高(P-unit),即只要它能用,......
针对单触发开关高导通电流和高导通速率的要求,本文在制备肖特基二极管（SBD）单触发开关的基础上,采用环氧类树脂胶、有机硅胶以及端......
对于功率电子而言，宽能带隙材料能够以相同甚至更低的成本，显著改善效率、尺寸及重量等指标。简单地说，宽能带隙器件具有优胜10倍的导......
故障现象：仪表上的HOLD灯闪亮，行驶时发闯。故障诊断：用TECH2检查有一个故障码：P0706，变速器范围开关性能失效。怀疑是驻车／空挡位置（PNP）......
垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)是当今功率MOSFET的一种主要类型,其开关性能在应用中是非常重要的,主要取决于栅极和源极间的等效电阻......
分步集成是从大学一年级就学习过的一个概念,现在RF IC厂商正在将这一传统方法应用于射频无线电路的集成。无线IC领域的先锋企业不......
MOSFET是电气系统中的基本部件,想要选出最合适的MOSFET需要深入了解它们的关键特性及指标.讨论如何根据漏源导通电阻RDS(ON)、热......
<正>目前组合开关已经在我公司F系列2～4 t叉车上普遍使用,但存在性能不稳定问题。经多次拆检、分析,确认主要原因如下:转动手柄旋钮......
<正> 在由电阻、电感等构成的交流电路中,由于开关合闸相角的不同,会造成合闸电流的非周期分量极大的差异,以致于瞬时合闸电流的大......
通过三种无功补偿装置电容投切开关优缺点的介绍,合理选型无功补偿装置实现节能降耗、延长供用电设备使用寿命、提高经济效益的目......
随着科技的进步与经济的发展，MMIC器件得到了越来越广泛的应用。其中，GaAs单刀多掷MMIC（单片微波集成电路）开关，因拥有优越的开关速度、......
在芯片内部,意法半导体的第三代沟槽式场截止IGBT实现了低导通电阻与高开关性能的完美组合.新模块有两种配置可选：sixpack模块内置6......
