电子漂移速度相关论文
量子点红外探测器暗电流对其性能有很大的影响，近年来人们对它的研究产生了浓厚的兴趣。在考虑微米尺度和纳米尺度两种电子传输......
1 引言rn以GaN及InGaN、AlGaN合金材料为代表的Ⅲ族氮化物材料是近几年来国际上倍受重视的新型半导体材料.其1.9-6.2eV连续可变的......
本文介绍一种用于8keV~1.5MeV中子注量绝对测量的时间投影电离室,工作气体是时间投影电离室的关键参数。利用Garfield++软件模拟了......
GaN基半导体材料的高场输运性质凭借其在高功率、高频率电子器件工作过程中的重要性，受到了广泛的关注。负微分电阻效应是一种......
该文对塑料流光管（ＰＳＴ）的漂移特性和垂直于丝方向的空间固有分辨率δ作了初步的实验研究，给出ＰＳＴ的电子漂移速度￣４９．７μｍ／ｎｓ，垂直于丝方向的空间固有分......
利用半经典理论得出了超晶格中电子漂移速度与外加双频交流电场的电场幅值和电场频率的关系,并且利用数值方法,计算了在相差和频率......
根据经典电子论分别采用三种不同的方法:算术平均法、统计平均法和电子动力学方程法解出金属中电子的平均漂移速度,并且对三种方法......
