直接隧穿电流相关论文
在WKB近似的理论框架下,提出了一个MOS器件中栅介质层直接隧穿电流的模型.在这个模型中,空穴量子化采用了一种改进的单带有效质量......
对沟道长度从10μm到0.13μm,栅氧化层厚度为2.5nm的HALO结构nMOS器件的直接隧穿栅电流进行了研究,得到了一个适用于短沟道HALO结......
建立了一个直接隧穿电流的经验公式．将氧化层厚度作为可调参数，用这个经验公式可以很好地拟合超薄氧化物nMOSFET器件的直接隧穿电流．......
文章从分析量子力学效应对纳米级MOS器件的影响出发，采用顺序隧穿理论和巴丁传输哈密顿方法，建立了纳米级MOS器件直接隧穿栅电流的计......
<正>对集成电路技术而言,晶体管间距在不断地缩小,65nm、45nm、32nm、22nm……相对的,出现的问题也就越来越多,解决方案也越来越复......
CMOS技术是现代集成电路的主流技术。在过去的将近20年里,MOSFET一直遵循摩尔定律的发展,特征尺寸不断缩小,并且不断逼近其物理极......
