MOS场效应晶体管相关论文
本文介绍了一种有源可变电阻器的实现方法,该电阻器使用MOS场效应晶体管作为开关器件,通过控制MOS场效应晶体管是否导通来控制与之......
近年来,连续时间MOSFET-C滤波技术受到广泛注意,这是由于开关电容技术是基于对信号的抽样,所以高频噪声会折叠入基带中。与其它连续时间技术相......
目前,电子工业是世界上最大的工业,电子产品的全球销量年年攀升。超大规模集成电路技术是现代信息产业的基础,电路规模不断地增加,性价......
氧化硅填充环氧树脂在作为芯片封装的密封中对微电子器件的可靠性与功能起着一种主要影响.在帮助了解铝引线键合内部类似功率MOS场......
氧化硅填充环氧树脂在作为芯片封装的密封中对微电子器件的可靠性与功能起着一种主要影响.在帮助了解铝引线键合内部类似功率MOS场......
文章研究了SiC中杂质非完全离化对器件性能的影响.通过考虑场致离化效应,分析了空间电荷区电荷密度与表面势的关系,得出在SiC MOSF......
研究不同沟道长度n 沟道MOS场效应晶体管的热载流子效应对其退化特性的影响.实验结果表明,随着器件沟道长度的减小,其跨导退化明显......
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提出了针对毫米波CMOS应用的nMOS场效应晶体管的建模方法。对采用0.18μm标准CMOS工艺的nMOS场效应管进行了版图的优化设计,并提出和......
Effect of substrate doping on threshold voltages of buried channel pMOSFET based on strained-SiGe te
底层基于 strained-SiGe 技术在埋葬的隧道 pMOSFET 的阀值电压上做的效果被学习。由身体上导出阀值电压的模型,相反地首先发生的层......
为了调节等距离时间延迟,倒相链提供相同集成电路布局技术的偶数静态倒相器,一个偶数倒相器的输出通过选择转换与信号输出连接,在合适......
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氧化硅填充环氧树脂在作为芯片封装的密封中对微电子器件的可靠性与功能起着一种主要影响。在帮助了解铝引线键合内部类似功率MOS......
设计了一种使用力敏差分放大器作为力敏元件的压力传感器.通过将差分放大器的输入对管和负载对管同时放在应力膜片上,可以在不增加......
文章研究了SiC中杂质非完全离化对器件性能的影响.通过考虑场致离化效应,分析了空间电荷区电荷密度与表面势的关系,得出在SiC MOSF......
电场测量系统广泛应用于航空、航天、国防、气象、电力等多个领域。根据电场传感器工作原理,电场传感器可以分为光学(光纤)式和电......
介绍了MOS结构剂量探测器的基本测量原理, 回顾了国内外利用MOS结构作为剂量探测器的发展过程和研究现状, 分析了MOS结构剂量探测......
研究了利用背面Ar+轰击改善n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)线性区的特性.用低能量(550 eV)的Ar+轰击n-MOSFET芯片的......
为了解决大多数高校微电子专业实验教学面临的难题,建设了MOS场效应晶体管虚拟仿真实验教学资源.引入半导体器件的虚拟制造和虚拟......
研究不同沟道长度n 沟道MOS场效应晶体管的热载流子效应对其退化特性的影响.实验结果表明,随着器件沟道长度的减小,其跨导退化明显......
介绍一种精度高、性能好、功能多、成本低的多功能精密库仑仪,介绍电路工作原理和制作要点.由BIMOS型运放和VMOS场效应晶体管的巧......
随着传统的硅材料加工技术发展到极限,寻找替代硅的材料已迫在眉睫.碳纳米管因其优良的性能将成为替代硅的理想材料.本文介绍了以......
本文介绍以硅为衬底的微细加工技术的发展前景与展望.随着特征尺寸的不断缩小,微细加工技术的水平逐渐提高.当特征尺寸进入到微米......
CMOS技术是现代集成电路的主流技术。在过去的将近20年里,MOSFET一直遵循摩尔定律的发展,特征尺寸不断缩小,并且不断逼近其物理极......
"半导体器件原理"是高等院校微电子以及相关专业的一门重要的专业必修课。本文主要概述了固体物理能带理论及其在该课程教学中的具......