硅化物薄膜相关论文
在硅衬底上淀积了1nm的钴,通过热退火反应形成了超薄纳米硅化物薄膜,研究了超薄硅化物薄膜的结构、形貌和其与Si的肖特基势垒特性.......
对ｎ－Ｓｉ（１００）基底上蒸发的锰薄膜，通过固相反应法作成ＭｎＳｉ与ＭｎＳｉ〈，１．７〉薄膜。具体的说就是，经过对Ｍｎ（薄膜）／Ｓｉ（１００）系统进行各种温度不同时间的热处理，得出：大约４００℃左右、......
金属硅化物具有低电阻率和优良的化学稳定性及其与硅技术的相容性已被成功而广泛地应用于大规模集成电路。近年来，稀土金属硅化物因......
利用射频磁控溅射方法制备了具有CoSi2成分的非晶薄膜。分析测试表明，薄膜中元素分布均匀，与靶材成分基本吻合。利用X射线衍射仪（XRD）......
本文用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和高分辨电镜研究Ｃｏ薄膜在氩气气氛或真空条件下热处理时Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／ＳｉＯ２体系的界面反应，结果表明：在氩氢气下４５０℃处理时，Ｃｏ薄膜均发生氧化......
近年来,随着集成度的提高,线宽变窄,栅极布线电阻和互连电阻对延迟时间的贡献增大,大大限制了IC的速度,因此,有关电极和布线等金属......
