硅基发光二极管相关论文
由于硅为间接带隙材料，体硅的带间辐射复合率相当低，因而不具有良好的光学特性。考虑到硅材料的工艺、技术以及经济效益等因素，近年来......
本文采用0.18μm标准CMOS工艺设计并制备了一种MOS结构的低压栅控硅基发光器件.该光源器件内部采用n+-p+-p+-n+-p+-p+-n+的叉指结......
硅纳米晶体的尺寸仅为几纳米，却具有很高的发光潜力。现在，来自德国卡尔斯鲁厄理工学院（KIT）和加拿大多伦多大学的科研人员借助硅纳米......
测量了Nd,Ce稀土离子注入Si基晶片,在不同离子注入剂量、不同退火条件下的室温光致发光(PL)谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且......
基于标准CMOS工艺的p＋源/漏区和n阱,设计了两种楔形瓣状结构的正向注入型硅基发光二极管（Si-LED）,采用UMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺设计......
硅长期以来一直被认为不适合发光二极管的制造，然而这在纳米尺度却并非正确。现在来自德国卡尔斯鲁厄理工：学院（KIT）和加拿大多伦多大......
据物理学家组织网报道，硅纳米晶体的尺寸仅为几纳米，却具有很高的发光潜力。现在，来自德国卡尔斯鲁厄理工学院（KIT）和加拿大多伦多大学......
来自德国卡尔斯鲁厄理工学院（KIT）和加拿大多伦多大学的科研人员借助硅纳米晶体，成功制造出了高效的硅基发光二极管（SiLEDs），其不含重金......
想从硅中获得发光就像从石头中抽取血液那么难.虽经数年研究并采用了各种方法,科学家们还无法成功地制造出效率大于0.1%的硅发光器......
为提高硅芯片的信号传输速度,解决传输延时、信号串扰等问题,当前研究的热点之一在于实现芯片内信号的光传输。要实现光信号在芯片......
作为极有可能取代传统微电子集成电路的下一代产品,硅基光互连系统越来越受到重视。然而硅属于间接带隙半导体,由其构成的硅基发光......
以硅材料为基础的微电子技术，是现代电子计算机、自动化控制、电子通信等领域发展的基础，也体现着一个国家科技实力的强弱。然而随着......
基于硅基有源驱动芯片和单色LED显示阵列芯片,利用光刻及沉膜工艺,在芯片上完成了640×480铟柱阵列的制备,之后采用回流焊、倒装焊......
