硅片清洗相关论文
硅片CMP工艺会引入表面缺陷和沾污,通常采用NaOH和KOH作为腐蚀溶液,利用微腐蚀法将硅片表面的损伤污染层剥离,以免导致IC制备过程......
研究对比了不同清洗工艺对制绒Si片性能的影响,采用原子力显微镜和少子寿命测试仪测试经不同化学清洗工艺处理之后的Si片表面微粗......
对两种不同清洗方法的工作原理、清洗效果和适用范围等特点进行了分析。不同的工艺应采用不同的清洗方法才能获得最佳效果。介绍了......
随着超大规模集成电路的发展,高浓度臭氧水溶液产生设备成为硅片清洗的关键设备。因此大连海事大学环境工程研究所研制成功国内首......
随着集成电路制造技术的发展，其主要衬底材料单晶硅片的直径不断增大，使得传统的硅片加工方法面临许多新问题。其中比较突出的问题是......
德克萨斯仪器公司（TI）、预研规划局（ARPA）和空军三家联合的微电子制造科学与技术（MMST）工程中，片子清洗工艺的目标是开发平片的全干法或气......
硅片经过切片、倒角、双面研磨、抛光等不同的工序加工后,其表面已受到严重的沾污,硅片清洗目的就在于清除晶片表面所有的微粒、金......
介绍了HF稀溶液在DGQ系列清洗工艺中对硅片表面的作用,无论是常规的酸碱清洗还是DGQ系列清洗剂的清洗,在没有HF稀溶液浸泡的情况下......
主要讲述了在半导体硅片清洗设备中常用的几种流量控制方法,主要包括工艺腔室和药液配比的流量控制,然后根据不同应用场景提出了对......
简要回顾了传统RCA清洗工艺的历史背景和清洗原理,介绍了RCA清洗随着工艺节点减小存在的局限性。在此基础上,阐述了以超临界二氧化......
简要介绍了随着工艺节点的缩小,传统RCA清洗方法在硅片清洗工艺中的局限性和弊端,进而提出了以CO2为介质的新型干冰微粒喷射清洗方......
通过比较微量铜铁单独存在和共存时对p -型硅片表面的污染,采用电化学直流极化和交流阻抗技术以及SEM、EDX和AES等现代表面分析技......
对半导体硅片传统的RCA清洗办法中各种清洗液的清洗原理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细的论述,......
