硅片表面相关论文
硅片表面存在台阶时，由于光刻胶的折射作用，会在台阶附近造成曝光盲区，引起光刻残胶。该文给出了残胶量与倾角大小、涂胶厚度之间的解......
本文将研究激光掺杂技术与电镀技术相结合的方法制作晶体硅太阳能电池的栅线。实验采用P型156mm×156mm±0.5mm多晶硅片作为硅衬底......
本文尝试采用超临界CO2萃取技术去除硅片上的有机污染物。通过对萃取前后硅片做电镜扫描和X射线光电子能谱扫描研究了萃取前后的硅......
对于较短的硅纳米线阵列而言，碘酒的钝化处理显示出更好的少子寿命改善效果，当碘酒浓度增加到0.05mol/L时，其样品的少子寿命从2.lμm......
运用偏振衰减全反射傅立叶变换红外光谱技术(ATR-FTIR),研究了Si(111)在不同比例的NH4F-HCl溶液中腐蚀后的表面形态.通过分析表面......
研究了溶液中的铜离子在硅片表面的沉积情况，尝试采用几种螯合剂来减少铜在硅片表面的沉积。GFAAS的测试结果表明，HF稀溶液中加入少......
公开（公告）号：CNl02527676A公开（公告）日：2012．07．04发明（设计）人：孙良欣；徐国良；郭育林摘要：一种用于抗腐蚀掩膜浆料的清洗工艺方法，包括以下步骤......
以甲氧基聚氧化乙烯丙基三甲氧基硅炕对硅片表面进行改性，使其表面具有良好的亲水性能。用考马斯亮蓝法考察了硅片在不同浸泡时间和......
对半导体硅片传统的RCA清洗办法中各种清洗液的清洗原理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细的论述,......
