空穴陷阱相关论文
本文采用微波吸收介电谱检测技术,系统研究了甲酸根离子掺杂的立方体卤化银乳剂在35ps脉冲激光作用下所产生的光电子衰减行为,分析......
通过比较紫外和真空紫外光辐照前后，BaFBr以及BaFBr：O样品的发光，研究氧在光激励发光材料中所起的作用。未经辐照的样品，在240nm光激发......
利用微波吸收介电谱检测技术测得了还原增感立方体氯化银微晶光电子衰减随增感条件的变化规律。实验发现，随增感条件的不同，增感中心......
研究了典型红外激励发光材料XS：Ra，Sm（x=Sr，Ca；Ra=Ce，Eu）的激励发光过程中电子与空穴的俘获中心及其转移过程，通过激发前后的红外吸收光谱......
根据成核-生长模型详细阐述了卤化银微晶中电子陷阱与空穴陷阱的概念以及电子陷阱在感光过程中的作用,着重于介绍如何优化电子陷阱......
甲酸根离子作为一种“空穴－电子转换剂”掺杂在卤化银中可以提高潜影形成过程中光电子的利用率。将不同位置甲酸根离子掺杂的立方体......
通过高温固相法在空气条件下制得Cd2Ge7O16∶Pr3+长余辉发光材料. 测其结构为一单相. 分析了Cd2Ge7O16, Cd2Ge7O16:Pr3+的激发光谱......
通过对室温下的本征氮化镓材料进行不同波长（360nm-377nm）的光照，分析了本征氮化镓中的持续光电导及其复合机制。实验的结果证明了两......
甲酸根离子（HCO^-2）作为一种“空穴-电子转换剂”掺杂在卤化银中，可以提高潜影形成过程中光电子的利用率，俘获光生空穴，减少潜影形成过......
本文综述了近十多年以来对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中深能级杂质缺陷的研究工作。讨论了深能级杂质缺陷对Ⅲ-Ⅴ族化合物材料与器件的性......
本文主要针对电子俘获材料研究中关于俘获中心性质的一些问题开展工作,对稀土掺杂的碱土金属硫化物中陷阱的特性;BaFxCl2-x:Eu材料......
