半绝缘材料相关论文
在高纯半绝缘材料中，材料的半绝缘性能是由材料的本征缺陷所决定，本征缺陷不仅影响载流子的输运特性，同时对浅能级杂质补偿也具有重要......
该项工作研究了高温退火非掺杂液封直拉磷化铟单昌制备标准2英寸和3英寸直径半绝缘材料的工艺及材料的物理性质.通过930℃,80小时......
中短距离的电传输网络是制约现有通信网络数据传输能力的关键因素。光互联技术将在速度提升和降低功耗等方面推动数据传输技术的进......
The methods for protecting InP surface against degradation during annealing,including encapsulant and encpsulant-free te......
具有窗口的双介质SOI耐压结构及其SOI功率器件是一种用于功率器件的具有窗口的双介质层SOI耐压结构以及采用具有窗口的双介质层SOI......
本文讨论了用光激瞬态电流谱测量半绝缘材料中深能级时,所加电压的极性、光强的变化等因素对结果的影响。对Martin等人提出的判断......
对液封直拉（LEC）非掺磷化铟（InP）进行930℃80h的退火可重复制备直径为50和75mm的半绝缘（SI）衬底。退火是在密封的石英管内纯磷（PP）或磷化铁......
本文首次报道了采用光激电流瞬态谱（ＰＩＣＴＳ）研究非掺杂半绝缘ＣｄＴｅ的深能级。结果表明，晶体内部的深能级决定着半绝缘材料的电阻率，０．１－０．１９ｅＶ深能级带是决定......
前言 InP是最早被制备出来的Ⅲ-Ⅴ族化合物,早在1910年,A.Fhill就合成出InP,但对其性质和制备工艺深入研究,则是1952年以后才开始......
本文综述了近十多年以来对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中深能级杂质缺陷的研究工作。讨论了深能级杂质缺陷对Ⅲ-Ⅴ族化合物材料与器件的性......
