耗尽区相关论文
有机场效应晶体管(organic field-effect transistor,OFET)因为其柔性和低成本制造的优势而获得关注.为进一步拓展OFET应用,进行OF......
Cu2ZnSn(Sx,Se1-x)4(CZTSSe)是一种锌黄锡矿结构(kesterite)的P型化合物半导体材料.多晶结构的CZTSSe单结薄膜太阳电池的理论极限......
通过流片,制作出肖特基栅共振隧穿三极管(SGRTT) .根据ATLAS软件的模拟发现,当发射极接地,集电极接外加偏压时,栅极电压对于SGRTT......
以InGaAs p-i-n管为例,研究了光电二极管在激光脉冲作用下非线性响应的内部机理特征,计算分析了二极管在强光辐照下内部空间电荷屏......
提出了热及电场诱导的多载流子模型 ,在完全耗尽近似下 ,得出了耗尽区厚度和电场强度的计算公式。公式表明 ,耗尽区厚度、耗尽区最......
本文介绍了30mm~2和80mm~2大面积Si(Li) X射线探测器的研制工艺及测量中的部分问题,并作了讨论。80mm~2探测器的系统能量分辨率为1......
本文介绍了GL1221型硅(锂)X射线探测器管芯的制造工艺及与之相配合的脉冲光反馈低温前置放大器。探测器系统的能量分辨率为165eV(......
本文提出了一种具有p型板的4H-SiC MESFET(PP-MESFET),利用栅漏漂移区上的p型板结构引入了减小表面场技术.p型板与n型沟道形成的pn......
本文提出了一种SOI基于槽栅LIGBT结构，它的栅电极没有位于阳极与阴极之间。基于此创新，发现新结构器件比旧结构器件展现出了巨大的优......
采用多载流子模型,分析了熔融石英在空气中热及电场诱导的物理过程,证明了耗尽区是由正带电层、电离层和负耗尽层组成.前两者的空......
利用多载流子模型及单轴对称和光激励机理，从理论上计算了经热及电场诱导后的石英光纤的电光系数γ与D型光纤的距离d、诱导时间t和......
详细分析了熔融石英样品经热及电场诱导后 ,建立二阶极化率的机理。该机理表明 ,二阶极化率是由样品耗尽区中偶极子的定向和三阶极......
近期，由法国、英国、日本研究人员组成的国际研究团队开发出在硼掺杂金刚石MOSFET中引入深层耗尽区的新方法。这一全新概念的提出，使......
通过流片,制作出肖特基栅共振隧穿三极管（SGRTT） .根据ATLAS软件的模拟发现,当发射极接地,集电极接外加偏压时,栅极电压对于SGRTT的......
利用泊松方程分析了异质结导带形状, 通过数值模拟研究了GaAs/AlAs异型异质结在不同掺杂浓度下的导带图, 确定了导带尖峰出现的位......
以InGaAsp-i—n管为例，研究了光电二极管在激光脉冲作用下非线性响应的内部机理特征，计算分析了二极管在强光辐照下内部空间电荷屏蔽......
最近,据K.S.Rabbani和D.R.Lamb报道,他们在某些n型硅MOS结构上观察到了反常的高频c(v)特性和脉冲c(t)特性,即在一定的高负栅极电......
本文利用简单的物理模型来描述 TRAPATT(俘获等离子雪崩触发渡越)振荡器的工作。在计算精度方面作些让步,就提出了一个完全高效率......
本文首次采用解析方法及二维计算机模拟讨论了ＲＥＳＵＲＦ原理应用于ＳＯＩＬＤＭＯＳ晶体管．研究表明：击穿电压随埋层ＳｉＯ２厚度增加而增加；击穿电压随Ｓｉ层厚度变化呈现Ｕ型......
电容是集成电路的一个组成部分,由于MOS电容与CMOS工艺流程匹配,所以应用广泛。为了改善传统MOS电容值随电压特性的改变而变化的现......
期刊
