耗尽区相关论文
提出了热及电场诱导的多载流子模型 ,在完全耗尽近似下 ,得出了耗尽区厚度和电场强度的计算公式。公式表明 ,耗尽区厚度、耗尽区最......
采用多载流子模型,分析了熔融石英在空气中热及电场诱导的物理过程,证明了耗尽区是由正带电层、电离层和负耗尽层组成.前两者的空......
利用多载流子模型及单轴对称和光激励机理，从理论上计算了经热及电场诱导后的石英光纤的电光系数γ与D型光纤的距离d、诱导时间t和......
详细分析了熔融石英样品经热及电场诱导后 ,建立二阶极化率的机理。该机理表明 ,二阶极化率是由样品耗尽区中偶极子的定向和三阶极......
通过流片,制作出肖特基栅共振隧穿三极管（SGRTT） .根据ATLAS软件的模拟发现,当发射极接地,集电极接外加偏压时,栅极电压对于SGRTT的......
利用泊松方程分析了异质结导带形状, 通过数值模拟研究了GaAs/AlAs异型异质结在不同掺杂浓度下的导带图, 确定了导带尖峰出现的位......
以InGaAsp-i—n管为例，研究了光电二极管在激光脉冲作用下非线性响应的内部机理特征，计算分析了二极管在强光辐照下内部空间电荷屏蔽......
最近,据K.S.Rabbani和D.R.Lamb报道,他们在某些n型硅MOS结构上观察到了反常的高频c(v)特性和脉冲c(t)特性,即在一定的高负栅极电......
本文利用简单的物理模型来描述 TRAPATT(俘获等离子雪崩触发渡越)振荡器的工作。在计算精度方面作些让步,就提出了一个完全高效率......
本文首次采用解析方法及二维计算机模拟讨论了ＲＥＳＵＲＦ原理应用于ＳＯＩＬＤＭＯＳ晶体管．研究表明：击穿电压随埋层ＳｉＯ２厚度增加而增加；击穿电压随Ｓｉ层厚度变化呈现Ｕ型......
电容是集成电路的一个组成部分,由于MOS电容与CMOS工艺流程匹配,所以应用广泛。为了改善传统MOS电容值随电压特性的改变而变化的现......
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