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V2 O5薄膜具有很好的离子注入 /退出可逆性 ,是最有潜力的锂离子储存层的候选材料之一。它的电学特性与制备方法、化学计量比、结......
1引言氧化钒作为催化剂(V2O5)被广泛应用于化学领域,近年来随着它的一些奇异物理特性的发现以及薄膜材料制备技术的发展,它在许多......
采用脉冲磁控溅射法在不同氮气流量下制备出CrNx薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和电化学工作站......
脉冲溅射是一种新型的、用于消除直流反应溅射中异常放电的技术.通过采用金属铝靶和自制的脉冲电源进行了氧化铝薄膜的脉冲磁控反......
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