采用基于测量 S参数和直流参数的工程模型与微波在片测试技术 ,建立与76 mm Ga As工艺线直接结合的Ga As器件 (MESFET,PHEMT)的 ......

报道一种新型 X波段 0 .2 5 μm PHEMT全单片集成低噪声子系统。该子系统由开关衰减电路、采样检波电路和低噪声放大器三部分组成......

报道一种新型X波段0.25μmPHEMT全单片集成低噪声子系统，该子系统由开关衰减电路，采样检波电路和低噪声放大器三部分组成。开关插入......

一种性能优异的全单片宽带低噪声反馈放大器已研制成功.此两级放大器的特点是,性能稳定,频带宽,噪声低,增益高而平坦,可直接由+5 V......

采用平衡式结构设计了微波宽带低噪声放大器,测试结果:在频率为8～18GHz的宽带内增益大于30dB,增益平坦度小于3dB,噪声系数小于2.0dB......

研究了在砷化镓上欧姆接触形成机理，并提出了一种新型的欧姆接触六层金属系统（Ni／Gre／Au,／Ge／Ni／Au）,在n型GaAs样品上实验了在380～460℃合金......

介绍了膺配高电子迁移率材料结构和8mmPHEMT功率器件：利用窄脉冲高速I—V CAT系统测量系统，建立了8mm功率PHEMT非线性模型；应用设计软......

采用基于测量S参数和直流参数的工程模型与微波在片测试技术，建立与φ76mmGaAs工艺线直接结合的GaAs器件（MESFET，PHEMT）的MMIC CAD适......

主要论述了采用POSES软件对亚微米GaAs PHEMT器件进行的结构设计与优化。在结构设计过程中,本文首先简要分析了PHEMT器件的工作原......

借助于传统的FET等效电路模型，给出了0．25μm GaAs PHEMT的开关模型，并在ICCAP和ADS软件中，完成等效电路参数的提取与优化。通过对单刀......