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阐述嵌入式非易失性存储器芯片制造流程中的多晶硅化学机械研磨(CMP)后清洗工艺对随后的多晶硅蚀刻工艺的影响。研究发现CMP的后清......
摘 要：硅的表面总是覆盖一层二氧化硅（SiO2），即使是剛刚解理的硅，在室温下，只要在空气中，一暴露就会在表面形成几个原子层的氧化膜。 ......
针对多晶硅发射极晶体管实际工艺中出现的电流增益异常波动问题,首先从原理上进行了分析,其次通过与正常批次PCM数据进行对比,发现......
