补偿掺杂相关论文
作为一种新型的半导体材料,Ga2O3具有超宽的带隙、超高的临界击穿电场以及不同晶相下独特的性质,在光电子、高功率以及高频器件研......
碳化硅(SiC)功率开关高速和高功率的特点,使其在脉冲功率系统中面临着比硅(Si)器件更严苛的高dV/dt可靠性问题.实验发现高dV/dt应......
沟道δ－形掺杂对于改善极小尺寸ＭＯＳＦＥＴ性能、提高可靠性极其重要。利用能量输运模型（ＥＴＭ），报道了沟道δ－形掺杂分布对０．１μｍ沟长ＮＭＯＳＦＥＴ结构特性的影响，根据漏......
对Ａｕ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ欧姆接触进行了三种不同的应力试验：（１）高温存储（ＨＴＳ），（２）常温大电流（ＨＣ），（３）高温适当电流。试验结果表明，三种试验均造成了试验后期欧姆接触电阻增大，最......
通信用的光纤维,芯部大致可分为石英玻璃和多组分玻璃的两种,就传输损耗而言,现阶段,石英玻璃纤维是最佳的。本文叙述了石英玻璃纤......
通过理论分析,推导出掺杂计算公式,用于N型Si复拉料拉制P型单晶硅补偿掺杂计算.在生产中得到成功应用,拉制的P型单晶硅电阻率控制......
提出一种新型n-ZnO/i-ZnO/p-Si太阳能电池结构,使用AMPS软件对该结构太阳能电池进行了模拟研究,探索H,N杂质补偿掺杂形成本征i层对......
用氧化铬(Cr2O3)作补偿掺杂剂、 LEC法生长的GaAs窗口晶体,容易满足高阻补偿条件,碳、硅两种主要的残余杂质得到有效抑制,获得低自......
