负微分电导相关论文
非易失性随机阻变存储器具有阻变切换速度快、易于构建、低能耗等优越的性能,最有望成为下一代新颖的信息存储器。阻变存储器是利......
本论文基于密度泛函理论和非平衡格林函数(NEGF-DFT)相结合的方法,通过第一性原理计算系统地研究了两种拓扑石墨烯纳米带(GNRs)的......
在自旋电子学中，自旋磁性的利用和自旋极化的理论研究是众多研究者感兴趣的地方。而量子点模型作为研究载体备受关注，量子点模型包括......
从On-GaAs载流子非线性输运理论出发,建立物理模型,推导其动力学方程,分析系统随外场变化出现的复杂分支情况.数值模拟表明,在输入......
以外力作用下粒子在周期势场中的布朗运动为模型，利用矩阵连分法求解相应的Fokker-Planck方程，得到了超晶格电输运的负微分电导特性，......
研究了内嵌InAs量子点的异质结场效应晶体管在室温和低温下的电学特性,获得了量子点影响下器件的输出特性曲线。在室温下,通过分别......
电子学的发展过程是一个不断追求体积小、性能好而且造价低的电子器件的过程,随着电子行业的不断发展,电子器件的尺寸逐渐接近传统......
近年来,在介观物理领域里双量子点系统受到了广泛的研究,特别是耦合于铁磁电极之间的双量子点系统的输运性质备受关注,无论是在实......
为了增强单电子晶体管中栅极和沟道量子点之间的耦合度，提高增益调节系数，发展了结合预制控制栅、电子束直写、各向异性腐蚀和热氧化......
外力作用下粒子在周期势场中的布朗运动是解释超导离子导体迁移率的重要模型.利用矩阵连分法求解相应的Fokker-Planck方程，得到了超......
单电子晶体管（single electron transistor, SET）能够控制单个电子一个接一个的通过岛从源端隧穿至漏端,相比于传统的CMOS电路,SET电......
太赫兹技术是近年来十分热门的一个研究领域，2004年被评为影响未来世界的十大科技之一。能否制造出体积小巧、使用方便的半导体太赫......
随着基于电荷存储的非易失性存储器(NVM),例如闪存(flash),的尺寸缩减接近其物理极限,发展高性能、高密度、低成本的新型NVM成为了......
基于实空间电荷转移模型研究了磁场对载流子在GaAs/AlGaAs异质结中的动力学行为的影响.系统静态下的伏安特性曲线展现出负微分电导......
因电子器件微型化的需要，人们曾于80年代后期前提出单电子晶体管（SET)的概念。SET工作于库仑阻塞区域，每个工作区间内只允许一个或几......
