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由于部分耗尽(PD)SOIMOS器件的浮体效应，在PDSOIMOSFET输出特性曲线中明显表现出记忆效应。在器件I-V特性曲线测试中，正向扫描与反向......
通过求解泊松方程，综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应，建立了小尺寸SiGe沟道pMOSFET阈值电压模型，模拟结果和实验数据吻合良好。......
基于改进后的三角势阱近似和n型多晶硅的耗尽以及MOSFET的强反型的情况,建立了一个考虑量子效应的栅电容模型.分别对反型层电容和......
