金属有机气相外延相关论文
报道了n-ZnO/p-GaN异质结构发光二极管的制备及其发光特性.采用金属有机气相外延技术在Mg掺杂p型GaN衬底上外延n型ZnO薄膜以形成p-......
ZnO材料的激子束缚能为60meV,是一种具有优越的光电性质的宽带隙半导体材料,在紫外探测器件和激光器等短波长光电器件方面具有重要......
本文第一次公布了 GaN:Mg 的金属有机气相外延生长法和它的发光性质,所用有机 Mg 气源是 Cp2Mg 或MCp2Mg。实验发现在 GaN 中的 Mg......
采用X光双晶衍射仪分析了GaN基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN-LED芯片，对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN-LED器件进行......
<正> 0102111非均匀有理 B 样条自由曲面的光顺检测[刊]/魏正英//西安理工大学学报.—2000,16(2).—179～182(D)Y2000-62185-213 010......
